[發明專利]晶片生成方法有效
| 申請號: | 201611224048.6 | 申請日: | 2016-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN107030905B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 平田和也 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;B28D5/02;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 生成 方法 | ||
本發明提供晶片的生成方法,能夠從鉭酸鋰錠高效率地生成晶片并減少被舍棄的錠的量。一種晶片生成方法,從鉭酸鋰錠生成晶片,該晶片生成方法包含從具有與Y軸平行地形成的定向平面的42°旋轉Y切錠即鉭酸鋰錠的端面將對于鉭酸鋰具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在錠內部而進行照射并一邊對錠進行加工進給一邊在錠內部形成改質層的工序、以及對錠施加外力而將板狀物從錠剝離從而生成晶片的工序。在形成改質層的工序中,在與定向平面平行或垂直的方向上對錠進行相對地加工進給。
技術領域
本發明涉及晶片生成方法,從鉭酸鋰錠高效率地生成晶片。
背景技術
SAW(表面彈性波:Surface Acoustic Wave)器件通過以下方式形成:在以鉭酸鋰(Lithium tantalate:LiTaO3)為原料的晶片的正面上層疊功能層并通過分割預定線來進行劃分。然后,通過切削裝置和激光加工裝置沿著晶片的分割預定線實施加工而分割成各個SAW器件,并在應用于移動電話等移動通信設備、個人計算機、影像媒體設備等的高頻濾波器等中使用。
并且,關于形成器件的晶片,一般公知利用線切割機對錠進行切片而生成晶片,并對切片得到的晶片的正背面進行研磨而精加工成鏡面(例如,參照專利文獻1。)。
專利文獻1:日本特開2000-094221號公報
在利用線切割機將錠切斷并對正背面進行研磨而生成晶片的情況下,為了應對器件的薄型化、輕量化而使要生成的晶片的厚度變薄是很不容易,并且,所生成的晶片的厚度越薄,在切斷、研磨時被削掉的錠的比例越多,產生了不經濟的問題。
特別是鉭酸鋰錠的莫氏硬度較高,由線切割機進行的切斷需要相當長的時間而存在生產性差的問題,并且由于單價較高的錠在加工時被切削舍棄而造成浪費,所以優選開發出不使鉭酸鋰錠浪費的、將鉭酸鋰錠高效率地切斷而生產出較薄的晶片的方法。
發明內容
本發明是鑒于上述事實而完成的,其主要的技術課題在于,提供晶片的生成方法,能夠從鉭酸鋰錠高效率地生成晶片,并且減少被舍棄的錠的量。
為了解決上述課題,根據本發明,提供晶片生成方法,從被稱為42°旋轉Y切錠的鉭酸鋰錠生成晶片,該42°旋轉Y切錠具有相對于中心軸被垂直切斷的端面并且具有與Y軸平行地形成的定向平面,該Y軸與鉭酸鋰的晶體軸垂直,該中心軸被設定為相對于Y軸具有42°的旋轉角,該晶片生成方法的特征在于,具有如下的工序:改質層形成工序,從該鉭酸鋰錠的該端面將對于鉭酸鋰具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位在深度相當于要生成的晶片的厚度的位置而照射激光光線,一邊相對于激光光線對該鉭酸鋰錠相對地進行加工進給一邊在該鉭酸鋰錠內部形成改質層;以及晶片生成工序,在實施了該改質層形成工序之后,對該鉭酸鋰錠施加外力而將板狀物從該鉭酸鋰錠剝離從而生成晶片,當在該改質層形成工序中在鉭酸鋰錠內部形成改質層時,在相對于該定向平面平行或呈直角的方向上相對于激光光線對該鉭酸鋰錠相對地進行加工進給。
優選該晶片生成方法還包含如下的磨削步驟:對所生成的晶片的剝離面和鉭酸鋰錠的剝離面進行磨削而使它們平坦化。
根據本發明,當在改質層形成工序中形成改質層時,通過使激光光線在與定向平面平行的方向或呈直角(垂直)的方向上相對地加工進給,由于相對于形成有改質層的方向,斷裂方向存在于橫向,所以裂紋能夠與鉭酸鋰錠的端面平行地成長而能夠容易地將晶片從鉭酸鋰錠剝離。因此,能夠從鉭酸鋰錠高效率地生成晶片并且減少被舍棄的量。
附圖說明
圖1是激光加工裝置的整體立體圖。
圖2是示出將作為被加工物的鉭酸鋰錠安裝在圖1所示的激光加工裝置的保持工作臺上的狀態的立體圖。
圖3是示出形成鉭酸鋰錠的鉭酸鋰的1個晶體結構的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





