[發明專利]晶片生成方法

有效

• 申請號: 201611224048.6
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107030905B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 平田和也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;B28D5/02;H01L21/268
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

1.一種晶片生成方法，從被稱為42°旋轉Y切錠的鉭酸鋰錠生成晶片，該42°旋轉Y切錠具有相對于中心軸被垂直切斷的端面并且具有與Y軸平行地形成的定向平面，其中，該Y軸與鉭酸鋰的晶體軸垂直，該中心軸被設定為相對于Y軸具有42°的旋轉角，該晶片生成方法的特征在于，具有如下的工序：

改質層形成工序，從該鉭酸鋰錠的該端面將對于鉭酸鋰具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位在深度相當于要生成的晶片的厚度的位置而照射激光光線，一邊相對于激光光線對該鉭酸鋰錠相對地進行加工進給一邊在該鉭酸鋰錠內部形成改質層；以及

晶片生成工序，在實施了該改質層形成工序之后，對該鉭酸鋰錠施加外力而將板狀物從該鉭酸鋰錠剝離從而生成晶片，

當在該改質層形成工序中在鉭酸鋰錠內部形成改質層時，選擇相對于定向平面呈0°的方向或呈90°的方向中的任意方向相對于激光光線對該鉭酸鋰錠相對地進行加工進給，在相對于定向平面呈0°的方向或呈90°的方向中的任意方向的情況下，產生比在相對于定向平面呈45°的方向或呈135°的方向上使激光光線相對地進行加工進給的情況下在縱向上延伸的任意裂紋短的縱向上的裂紋，并且產生比在相對于定向平面呈45°的方向或呈135°的方向上使激光光線相對地進行加工進給的情況下在橫向上延伸的任意裂紋長的橫向上的裂紋。

2.根據權利要求1所述的晶片生成方法，其中，

該晶片生成方法還具有如下的磨削步驟：對所生成的晶片的剝離面和該鉭酸鋰錠的剝離面進行磨削而使它們平坦化。