[發明專利]一種含硅陶瓷涂層的制備方法在審
| 申請號： | 201611223996.8 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108238799A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王謀華;吳永龍;張文禮;張文發;劉偉華;吳國忠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海應用物理研究所 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/584 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 薛琦;鄒玲 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 浸漬 聚碳硅烷溶液 不熔化處理 含硅陶瓷 取出 還原性氣體氣氛 近化學計量比 氮化硅陶瓷 還原性氣體 碳化硅涂層 惰性氣體 輻照交聯 脫碳處理 循環處理 氧化交聯 元素組成 燒結 絕緣性 熱交聯 烘干 可控 爐內 保溫 配制 冷卻 靈活 | ||
1.一種含硅陶瓷涂層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
(1)配制聚碳硅烷溶液，將載體浸漬在聚碳硅烷溶液中，浸漬壓力0.1-5MPa，浸漬溫度25℃-80℃；
(2)取出，烘干，將構件進行不熔化處理，所述不熔化處理為氧化交聯、輻照交聯或熱交聯；
(3)將構件置于爐內，在還原性氣體氣氛下，升溫至300-1000℃，保溫進行脫碳處理，關閉還原性氣體，通入惰性氣體，升溫至1000-1600℃進行燒結，冷卻后取出；
將構件再按步驟(1)～(3)循環處理5-11次，即可。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，配制所述的聚碳硅烷溶液使用的聚碳硅烷的數均分子量為700-4000，分子量分布為1.5-4.0。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的聚碳硅烷溶液的濃度為40％-70％，所述百分比為質量百分比。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，配制所述的聚碳硅烷溶液所用的溶劑為二甲苯、甲苯和四氫呋喃中的任一種。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的載體為石墨、碳纖維、碳化硅纖維2D編織物、碳化硅纖維2.5D編織物和碳化硅纖維3D編織物中的一種或多種。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述的還原性氣體氣氛為還原性氣體與惰性氣體形成的混合氣氛。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的混合氣氛中還原性氣體與惰性氣體的體積比為2:1；所述的還原性氣體為H2或NH3；所述的惰性氣體為氬氣或氮氣。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，升溫至300-1000℃時的升溫速率為2～5℃/min；
步驟(3)中，所述脫碳處理的時間為0-10h。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述脫碳處理的時間為2h。
10.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，當制備碳化硅涂層時，所述的還原性氣體氣氛為由H2和惰性氣體形成的混合氣氛；當制備氮化硅陶瓷涂層時，所述的還原性氣體為NH3，所述的惰性氣體為氮氣。
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