[發(fā)明專(zhuān)利]一種含硅陶瓷涂層的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611223996.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108238799A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王謀華;吳永龍;張文禮;張文發(fā);劉偉華;吳國(guó)忠 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/565 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/565;C04B35/584 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 薛琦;鄒玲 |
| 地址: | 201800 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 浸漬 聚碳硅烷溶液 不熔化處理 含硅陶瓷 取出 還原性氣體氣氛 近化學(xué)計(jì)量比 氮化硅陶瓷 還原性氣體 碳化硅涂層 惰性氣體 輻照交聯(lián) 脫碳處理 循環(huán)處理 氧化交聯(lián) 元素組成 燒結(jié) 絕緣性 熱交聯(lián) 烘干 可控 爐內(nèi) 保溫 配制 冷卻 靈活 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種含硅陶瓷涂層的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:(1)配制聚碳硅烷溶液,將載體浸漬在聚碳硅烷溶液中,浸漬壓力0.1?5MPa,浸漬溫度25℃?80℃;(2)取出,烘干,將構(gòu)件進(jìn)行不熔化處理,所述不熔化處理為氧化交聯(lián)、輻照交聯(lián)或熱交聯(lián);(3)將構(gòu)件置于爐內(nèi),在還原性氣體氣氛下,升溫至300?1000℃,保溫進(jìn)行脫碳處理,關(guān)閉還原性氣體,通入惰性氣體,升溫至1000?1600℃進(jìn)行燒結(jié),冷卻后取出;將構(gòu)件再按步驟(1)~(3)循環(huán)處理5?11次,即可。本發(fā)明的制備方法靈活多變,可操作性強(qiáng),可以獲得近化學(xué)計(jì)量比碳化硅涂層,也可獲得絕緣性好的氮化硅陶瓷涂層,實(shí)現(xiàn)元素組成可控。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種含硅陶瓷涂層的制備方法。
背景技術(shù)
航空航天、國(guó)防軍事及核能等領(lǐng)域的特殊應(yīng)用,對(duì)材料提出更高的要求,如耐高溫性能、抗氧化性能、優(yōu)異的力學(xué)性能、絕緣性能、透波吸波功能等。為達(dá)到品質(zhì)要求,在制備構(gòu)件時(shí),經(jīng)常使用C纖維、SiC纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料,石墨表面制備陶瓷涂層等。
石墨陶瓷涂層,C纖維或碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料的制備方法有多種,如化學(xué)氣相沉積或化學(xué)氣相滲透法(CVD/CVI)(如CN102277560A、CN101555139B),熱壓燒結(jié)法(HP),如EP1375452A1,氣相滲硅法如CN100371302C,納米顆粒浸漬(NITE)法,如CN101224993,先驅(qū)體浸漬裂解法(PIP),如CN100355700C。其中CVD法、CVI法、PIP法使用較多,效果較為理想,前面兩種方法對(duì)設(shè)備要求高,成本較大,且CVI法周期較長(zhǎng),因而使用PIP法制備陶瓷涂層的優(yōu)勢(shì)相對(duì)較大。
使用聚碳硅烷(PCS)作為先驅(qū)體,制備的陶瓷涂層,往往其中含有較多的游離碳,在含氧氣氛高溫下使用時(shí),游離碳被燒蝕,產(chǎn)生孔洞及裂紋,對(duì)材料性能產(chǎn)生一定的影響。所以有必要除去陶瓷涂層當(dāng)中的游離碳,如CN15548802A,其在PCS裂解氣氛中通入含硅組分蒸汽,含硅組分與游離碳反應(yīng)生成SiC,以此除去碳。但該方法在通入含硅組分時(shí),無(wú)法保證完全除碳的同時(shí)完全生成碳化硅,易產(chǎn)生一定量的單質(zhì)硅,對(duì)材料性能產(chǎn)生一定的影響。也就是說(shuō),常規(guī)PIP法制備的碳化硅涂層必定含有碳,制備的構(gòu)件在空氣氣氛中使用時(shí),碳會(huì)被燒蝕,不可避免會(huì)出現(xiàn)游離碳產(chǎn)生的孔洞及裂紋問(wèn)題。
PIP法制備絕緣陶瓷涂層,在CN101654778A中也有提及。其使用聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚碳硅烷作為原料,加入活性助劑,再加入粉體填料進(jìn)行燒結(jié)制備,但粉體填料難以均勻分散,制備的涂層不均勻,助劑的加入易產(chǎn)生雜質(zhì),制備的涂層其絕緣性能不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的游離碳產(chǎn)生的孔洞及裂紋問(wèn)題、以及助劑的加入會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì),對(duì)涂層純度產(chǎn)生影響的缺陷,而提供了一種含硅陶瓷涂層的制備方法。本發(fā)明的制備方法靈活多變,可操作性強(qiáng),可以獲得近化學(xué)計(jì)量比碳化硅涂層,也可獲得絕緣性好的氮化硅陶瓷涂層,實(shí)現(xiàn)元素組成可控。
本發(fā)明提供了一種含硅陶瓷涂層的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:
(1)配制聚碳硅烷(PCS)溶液,將載體浸漬在聚碳硅烷溶液中,浸漬壓力0.1-5MPa,浸漬溫度25℃-80℃;
(2)取出,烘干,將構(gòu)件進(jìn)行不熔化處理,所述不熔化處理為氧化交聯(lián)、輻照交聯(lián)或熱交聯(lián);
(3)將構(gòu)件置于爐內(nèi),在還原性氣體氣氛下,升溫至300-1000℃,保溫進(jìn)行脫碳處理,關(guān)閉還原性氣體,通入惰性氣體,升溫至1000-1600℃進(jìn)行燒結(jié),冷卻后取出;
將構(gòu)件再按步驟(1)~(3)循環(huán)處理5-11次,即可。
步驟(1)中,配制所述的聚碳硅烷溶液時(shí)使用的聚碳硅烷(PCS)為本領(lǐng)域常規(guī)物質(zhì),為可摻雜或不摻雜異質(zhì)元素,可摻雜元素可為鋁、硼、鋯、鈦、鐵、鉭、鈮的任意一種。
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