[發明專利]凸塊結構與堆疊結構在審
| 申請號: | 201611223951.0 | 申請日: | 2016-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN107993999A | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發明(設計)人: | 林柏均 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279 | 代理人: | 王正茂,叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市龜山*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 堆疊 | ||
技術領域
本發明是有關于一種凸塊結構與堆疊結構。
背景技術
隨著電子產業的蓬勃發展,電子產品也逐漸進入多功能、高性能的研發方向。為滿足半導體元件高積集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求,半導體封裝結構的各項要求也越來越高。
為了進一步改善封裝結構的各項特性,相關領域莫不費盡心思開發。如何能提供一種具有較佳特性的封裝結構,實屬當前重要研發課題之一,也成為當前相關領域亟需改進的目標。
發明內容
本發明的一目的是在提供一種凸塊結構,以提升結構穩定度與線路密度。
根據本發明一實施方式,一種凸塊結構包含第一板狀結構、第一接觸墊、第一接合件以及第二接合件。第一接觸墊設置于第一板狀結構上。第一接合件設置于第一接觸墊上,其中第一接合件具有第一楊氏模量。第二接合件設置于第一接合件上,其中第二接合件具有第二楊氏模量,且第二楊氏模量大于第一楊氏模量。
在本發明的一或多個實施方式中,第一接合件的材質為錫或金。
在本發明的一或多個實施方式中,第二接合件的材質為銅。
在本發明的一或多個實施方式中,第一板狀結構為晶片、中介層或基板結構。
在本發明的一或多個實施方式中,第一接合件具有相對的第一底面與第一頂面,第二接合件具有相對的第二底面與第二頂面,第一底面固定于第一接觸墊,且第一頂面固定于第二底面。
在本發明的一或多個實施方式中,第一接合件具有相對的第一底面與第一頂面,第二接合件具有相對的第二底面與第二頂面,且第一頂面直接接觸第二底面。
根據本發明另一實施方式,一種堆疊結構包含前述的凸塊結構與接合凸塊結構。接合凸塊結構設置于第二接合件上。接合凸塊結構包含第三接合件、第二接觸墊以及第二板狀結構。第三接合件設置于第二接合件上,其中第三接合件具有第三楊氏模量,且第二楊氏模量大于第三楊氏模量。第二接觸墊設置于第三接合件上。第二板狀結構設置于第二接觸墊上。
在本發明的一或多個實施方式中,第三接合件的材質為錫或金。
在本發明的一或多個實施方式中,第二板狀結構為晶片、中介層或基板結構。
在本發明的一或多個實施方式中,接合凸塊結構還包含第四接合件,第四接合件設置于第三接合件與第二接觸墊之間,第四接合件具有第四楊氏模量,且第四楊氏模量大于第一楊氏模量。
在本發明的一或多個實施方式中,第四接合件的材質為銅。
在本發明的一或多個實施方式中,接合凸塊結構還包含第五接合件,第五接合件設置于第四接合件與第二接觸墊之間,第五接合件具有第五楊氏模量,且第二楊氏模量大于第五楊氏模量。
在本發明的在本發明的一或多個實施方式中,第五接合件的材質為錫或金。
在本發明的一或多個實施方式中,凸塊結構還包含第六接合件。第六接合件設置于第二接合件上,其中第六接合件具有第六楊氏模量,且第二楊氏模量大于第六楊氏模量。
在本發明的一或多個實施方式中,凸塊結構還包含第七接合件。第七接合件設置于第一接觸墊與第一接合件之間,其中第七接合件具有第七楊氏模量,且第七楊氏模量大于第一楊氏模量。
根據本發明又一實施方式,一種堆疊結構包含前述的凸塊結構與接合凸塊結構。接合凸塊結構設置于第二接合件上。接合凸塊結構包含第八接合件、第二接觸墊以及第二板狀結構。第八接合件設置于第二接合件上,其中第八接合件具有第八楊氏模量,且第二楊氏模量大于第八楊氏模量。第二接觸墊設置于第八接合件上。第二板狀結構設置于第二接觸墊上。
在本發明的一或多個實施方式中,接合凸塊結構還包含第九接合件,第九接合件設置于第八接合件與第二接觸墊之間,第九接合件具有第九楊氏模量,且第九楊氏模量大于第一楊氏模量。
根據本發明再一實施方式,一種堆疊結構包含第一板狀結構、第二板狀結構以及接合組合結構。接合組合結構夾設于第一板狀結構與第二板狀結構之間。接合組合結構包含第十接合件、第十一接合件與第十二接合件,其中第十接合件具有第十熔融溫度,第十一接合件具有第十一熔融溫度,第十二接合件具有第十二熔融溫度,第十接合件夾設于第十一接合件與第十二接合件之間,第十熔融溫度大于第十一熔融溫度,第十熔融溫度大于第十二熔融溫度。
在本發明的一或多個實施方式中,第一板狀結構為晶片、中介層或基板結構,且第二板狀結構為晶片、中介層或基板結構。
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