[發(fā)明專利]一種氧化鋯傳感器的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611223907.X | 申請(qǐng)日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108241014A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈光明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)石油化工股份有限公司;南化集團(tuán)研究院 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/407 | 分類號(hào)： | G01N27/407;G01N27/409 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 210048 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鋯傳感器 半導(dǎo)體功能材料 導(dǎo)電性能 高溫條件 工業(yè)應(yīng)用 涂覆工藝 制造工藝 對(duì)電極 抗腐蝕 抗氧化 靈敏度 氯鉑酸 穩(wěn)定劑 內(nèi)阻 飄移 制備 加熱 分解 | ||
本發(fā)明屬于工業(yè)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氧化鋯傳感器的制造工藝。通過選擇半導(dǎo)體功能材料In2O3作為穩(wěn)定劑，使得氧化鋯傳感器在高溫下長(zhǎng)期加熱不發(fā)生分解，且氧化鋯傳感器具有內(nèi)阻小、飄移小、性能穩(wěn)定、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)；選擇氯鉑酸作為對(duì)電極涂覆工藝的材料，使得氧化鋯傳感器的導(dǎo)電性能良好，在高溫條件下抗氧化、抗腐蝕。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于傳感器的應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氧化鋯傳感器的制造工藝。
背景技術(shù)
用氧化鋯傳感器測(cè)量氧含量是近幾十年來發(fā)展起來的新技術(shù)。由于節(jié)能和環(huán)保工作的需要，此技術(shù)及其產(chǎn)品得到迅速的發(fā)展。
常用的氧離子導(dǎo)體，一般有基體和穩(wěn)定劑兩種成分組成。基體在量上是主要成分，穩(wěn)定劑是摻入基體的一種與基體氧化物價(jià)態(tài)不同的另一種氧化物，它具有穩(wěn)定立方晶型和形成氧離子空穴的雙重作用。
氧化鋯氧量分析儀是由氧化鋯傳感器和變送器組成，利用氧化鋯傳感器制成的氧量分析儀具有靈敏度高、再現(xiàn)性好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、氧量測(cè)量范圍廣等優(yōu)點(diǎn)；但氧化鋯傳感器的使用壽命較短、穩(wěn)定性較差。在高溫條件下抗氧化、抗腐蝕性能仍需進(jìn)一步提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的解決上述技術(shù)問題，通過特殊的制備工藝，提高氧化鋯傳感器的質(zhì)量、使用壽命和穩(wěn)定性。使得采用此氧化鋯傳感器的氧含量測(cè)量反應(yīng)迅速、準(zhǔn)確。
本發(fā)明的主要技術(shù)方案：將原料氧化鋯和穩(wěn)定劑進(jìn)行混合，加壓成團(tuán)，在1000-1500℃高溫下煅燒、碾磨、注漿成形；對(duì)電極進(jìn)行涂覆，在800-1000℃高溫下煅燒、引線釬焊最終制得成品。
所述穩(wěn)定劑為半導(dǎo)體功能材料In2O3 。
所述選擇氯鉑酸作為對(duì)電極涂覆工藝的材料。
所述氧化鋯與穩(wěn)定劑的質(zhì)量比為：10-13:1。
所述加壓成團(tuán)后高溫煅燒的溫度為：1300℃，電極涂覆后，高溫煅燒溫度為：800℃。
本發(fā)明氧化鋯傳感器的制造工藝，采用In2O3作為穩(wěn)定劑，使得氧化鋯傳感器在高溫下長(zhǎng)期加熱不發(fā)生分解，且氧化鋯傳感器具有內(nèi)阻小、飄移小、性能穩(wěn)定、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)。提高氧化鋯傳感器的質(zhì)量、使用壽命和穩(wěn)定性，使得采用此氧化鋯傳感器的氧量測(cè)量反應(yīng)迅速、準(zhǔn)確。
有益效果：
1、選擇半導(dǎo)體功能材料In2O3作為穩(wěn)定劑，使得氧化鋯傳感器在高溫下長(zhǎng)期加熱不發(fā)生分解，且氧化鋯傳感器具有內(nèi)阻小、飄移小、性能穩(wěn)定、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)；
2、選擇氯鉑酸作為對(duì)電極涂覆工藝的材料，使得氧化鋯傳感器的導(dǎo)電性能良好，在高溫條件下抗氧化、抗腐蝕。
附圖說明
圖1為實(shí)施例氧化鋯傳感器制備過程的主要流程方框示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和圖對(duì)本發(fā)明加以詳細(xì)描述。
以下實(shí)施例的制備過程參見附圖1。
實(shí)施例1
氧化鋯傳感器的制造流程如下：混料-加壓成團(tuán)-高溫煅燒-碾磨-注漿成形-電極涂覆-高溫煅燒-引線釬焊-成品。將原料氧化鋯和穩(wěn)定劑In2O3按照質(zhì)量比13:1進(jìn)行混合，加壓成團(tuán)，在1300℃高溫下煅燒、碾磨、注漿成形；對(duì)電極進(jìn)行涂覆，在800℃高溫下煅燒、引線釬焊最終制得成品。
選擇氯鉑酸作為對(duì)電極涂覆工藝的材料。
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