[發(fā)明專利]一種氧化鋯傳感器的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611223907.X | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108241014A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沈光明 | 申請（專利權）人： | 中國石油化工股份有限公司;南化集團研究院 |
| 主分類號： | G01N27/407 | 分類號： | G01N27/407;G01N27/409 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 210048 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鋯傳感器 半導體功能材料 導電性能 高溫條件 工業(yè)應用 涂覆工藝 制造工藝 對電極 抗腐蝕 抗氧化 靈敏度 氯鉑酸 穩(wěn)定劑 內阻 飄移 制備 加熱 分解 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化鋯傳感器的制備方法，其特征在于制備過程如下：將原料氧化鋯和穩(wěn)定劑進行混合，加壓成團，在1000-1500℃下煅燒、碾磨、注漿成形；對電極進行涂覆，在800-1000℃下煅燒、引線釬焊最終制得成品。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述穩(wěn)定劑為半導體功能材料In2O3 。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于選擇氯鉑酸作為對電極涂覆的材料。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于氧化鋯與穩(wěn)定劑的質量比為：10-13:1。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于加壓成團后高溫煅燒的溫度為：1300℃，電極涂覆后，高溫煅燒溫度為：800℃。
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