[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201611223805.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106920838B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 金東權;車知勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成有源鰭結構和隔離區域；

在所述有源鰭結構上形成多個外延層；

在所述有源鰭結構上形成多個第一金屬柵電極，其中所述第一金屬柵電極的每個和所述外延層的每個在所述有源鰭結構上在第一方向上被交替設置；

在所述多個外延層上形成多個層間電介質圖案，其中所述多個層間電介質圖案的每個在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；

在所述多個第一金屬柵電極上形成多個犧牲間隔物圖案，其中所述多個犧牲間隔物圖案的每個覆蓋所述多個第一金屬柵電極中的相應第一金屬柵電極；

通過去除所述多個層間電介質圖案而形成多個自對準接觸孔和多個犧牲間隔物，其中所述多個自對準接觸孔的每個暴露設置在所述多個層間電介質圖案的每個下方的相應外延層；

在所述多個自對準接觸孔中形成多個源/漏電極；以及

由多個空氣間隔物替換所述多個犧牲間隔物，

其中所述多個源/漏電極的每個的上表面具有第一寬度并且所述多個源/漏電極的每個的下表面具有小于所述第一寬度的第二寬度，

其中所述多個空氣間隔物的每個的寬度等于或小于所述多個源/漏電極的每個的所述第一寬度和所述第二寬度之間的差，以及

其中所述多個空氣間隔物的每個的寬度以及所述多個源/漏電極的每個的所述第一寬度和所述第二寬度沿所述第一方向被測量。

2.如權利要求1所述的方法，

其中形成所述多個自對準接觸孔和所述多個犧牲間隔物包括：

部分去除所述多個犧牲間隔物圖案的每個以形成所述多個犧牲間隔物，

其中每個自對準接觸孔由所述多個犧牲間隔物圖案中的兩相鄰犧牲間隔物圖案限定，以及

其中每個外延層被插置在所述多個犧牲間隔物圖案中的兩相鄰犧牲間隔物圖案之間。

3.如權利要求1所述的方法，

其中替換所述犧牲間隔物包括：

在所述多個自對準接觸孔中填充多個低k層間電介質圖案，

其中所述多個低k層間電介質圖案的每個的介電常數小于所述多個層間電介質圖案的每個的介電常數。

4.如權利要求1所述的方法，

其中所述多個空氣間隔物的每個彼此間隔開并且沿所述第一方向被設置。

5.如權利要求1所述的方法，

其中所述多個犧牲間隔物圖案的每個由SiN形成，并且

其中所述多個層間電介質圖案的每個由硅氧化物形成。

6.如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述隔離區域上形成多個第二金屬柵電極；以及

在所述多個第二金屬柵電極上形成多個覆蓋層。

7.如權利要求6所述的方法，

其中所述多個覆蓋層的每個由SiBCN形成，以及

其中所述多個犧牲間隔物的每個由SiN形成。

8.如權利要求3所述的方法，還包括：

在所述隔離區域上形成多個第二金屬柵電極；以及

在所述多個第二金屬柵電極上形成多個覆蓋層，

其中在替換所述多個犧牲間隔物之后，所述多個覆蓋層的每個由SiBCN形成，以及

其中所述多個低k層間電介質圖案的每個被設置在所述多個第一金屬柵電極中的相應第一金屬柵電極上。

9.如權利要求1所述的方法，

其中形成所述多個自對準接觸孔和所述多個犧牲間隔物包括：

在所述多個層間電介質圖案和所述多個犧牲間隔物圖案上執行各向異性蝕刻工藝。

10.如權利要求6所述的方法，

其中所述多個第一金屬柵電極的每個具有圓角，以及

其中所述第二金屬柵電極的每個具有頂點。