[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201611223805.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106920838B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 金東權;車知勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

本發明提供半導體器件及其制造方法。制造半導體器件的方法提供如下。外延層被形成在襯底的有源鰭結構上。第一金屬柵電極被形成在有源鰭結構上。每個第一金屬柵電極和每個外延層在有源鰭結構上在第一方向上被交替布置。層間電介質(ILD)圖案被形成在外延層上，在交叉第一方向的第二方向上延伸。犧牲間隔物圖案被形成在第一金屬柵電極上。多個犧牲間隔物圖案的每個覆蓋第一金屬柵電極中的相應第一金屬柵電極。自對準接觸孔和犧牲間隔物通過去除ILD圖案被形成。每個自對準接觸孔暴露布置在每個ILD圖案下方的相應外延層。源/漏電極被形成在自對準接觸孔中。犧牲間隔物由空氣間隔物替換。

技術領域

本發明構思涉及制造半導體器件的方法。

背景技術

為了集成電路應用中更高的密度，制造工藝已經發展以減小諸如晶體管的柵電極和源/漏電極的電路元件的最小特征尺寸。因為特征尺寸已經減小，所以電路元件之間的距離也減小，因此根據制造工藝的工藝變化會出現電路元件之間的電短路。

發明內容

根據本發明構思的一示例實施方式，一種制造半導體器件的方法被提供如下。有源鰭結構和隔離區域被形成在襯底上。外延層被形成在有源鰭結構上。第一金屬柵電極被形成在有源鰭結構上。每個第一金屬柵電極和每個外延層在有源鰭結構上在第一方向上被交替布置。層間電介質(ILD)圖案被形成在外延層上。每個ILD圖案在交叉第一方向的第二方向上延伸。犧牲間隔物圖案被形成在第一金屬柵電極上。多個犧牲間隔物圖案的每個覆蓋多個第一金屬柵電極的相應第一金屬柵電極。自對準接觸孔和犧牲間隔物通過去除ILD圖案而形成。每個自對準接觸孔暴露布置在多個ILD圖案的每個的下方的相應外延層。源/漏電極被形成在自對準接觸孔中。犧牲間隔物由空氣間隔物替換。

根據本發明構思的一示例實施方式，一種制造半導體器件的方法被提供如下。有源鰭結構和隔離區域被形成在襯底上。多個第一初始柵間隔物被形成在隔離區域上。多個第二初始柵間隔物被形成在有源鰭結構上。多個外延層被形成在有源鰭結構上。多個外延層的每個被插置在多個第二初始柵間隔物中的兩相鄰第二初始柵間隔物之間。多個虛設柵電極包括形成在隔離區域上的第一虛設柵電極以及在有源鰭結構上的第二和第三虛設柵電極。第一虛設柵電極被插置在多個第一初始柵間隔物中的第一對之間。第二虛設柵電極被插置在多個第一初始柵間隔物中的一個以及多個第二初始柵間隔物中的一個的第二對之間。第三虛設柵電極被插置在多個第二初始柵間隔物的第三對之間。多個第一初始柵間隔物被去除。多個虛設柵間隔物由多個第二初始柵間隔物形成。多個虛設柵間隔物由多個空氣間隔物替換。

根據本發明構思的一示例實施方式，一種半導體器件被提供如下。襯底具有在第一方向上延伸的有源鰭結構。第一和第二金屬柵電極被設置在有源鰭結構上。源/漏電極被插置在第一和第二金屬柵電極之間并且被設置在有源鰭結構上。源/漏電極的上表面具有第一寬度并且源/漏電極的下表面具有小于第一寬度的第二寬度。第一空氣間隔物被插置在源/漏電極的第一側壁和第一金屬柵電極之間。第二空氣間隔物被插置在源/漏電極的第二側壁和第二金屬柵電極之間。第一空氣間隔物和第二空氣間隔物在交叉第一方向的第二方向上延伸。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本發明構思的示例實施方式，本發明構思的這些及其它特征將變得更加明顯，其中：

圖1是根據本發明構思的一示例實施方式制造半導體器件的流程圖；

圖2A到12A示出根據圖1的流程圖形成的半導體器件的平面圖；

圖2B到12B示出沿圖2A到12A的X-X'截取的截面圖；

圖13是根據本發明構思的一示例實施方式的制造半導體器件的流程圖；

圖14A到23A示出根據圖13的流程圖形成的半導體器件的平面圖；

圖14B到23B示出沿圖14A到23A的X-X'截取的截面圖；

圖24是具有根據本發明構思的一示例實施方式制造的半導體器件的半導體模塊；