[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611222514.7
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107039427B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設計）人: 林于軒;余俊磊;林明正;蔡俊琳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L29/778
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

半導體器件包括晶體管、半導體層、有源區(qū)域和導電層。有源區(qū)域位于半導體層中。當觸發(fā)晶體管運行時，導電層配置為保留有源區(qū)域中的溝道。

技術領域

本發(fā)明的實施例涉及半導體器件。

背景技術

近年來，關于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的代替硅(Si)或碳化硅(SiC)用作高壓(HV)器件的高潛力已經(jīng)引起了大量關注。GaN HEMT通常通過在外延生長的結構(包括位于GaN溝道層上的氮化鋁鎵(AlGaN)阻擋層)的頂面上施加歐姆源極和漏極接觸件和肖特基柵極接觸件制造。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供了一種半導體器件，包括：晶體管，包括：半導體層；有源區(qū)域，位于所述半導體層中；和導電層，當觸發(fā)所述晶體管運行時，所述導電層配置為保留所述有源區(qū)域中的溝道。

本發(fā)明的另一實施例提供了一種半導體器件，包括：襯底；以及晶體管，設置在所述襯底上，包括：半導體層；有源區(qū)域，限定在所述半導體層中；和導電層，配置為接收電壓，所述導電層的電壓電平?jīng)Q定了溝道是否保持在所述有源區(qū)域中，并且所述導電層配置為與所述襯底電隔離。

本發(fā)明的又一實施例提供了一種半導體器件，包括：第一晶體管，配置為接收電源電壓，包括：第一半導體層；第一有源區(qū)域，限定在所述第一半導體層中；和第一導電層，配置為接收電壓，所述第一導電層的電壓電平?jīng)Q定了第一溝道是否保持在所述第一有源區(qū)域中；以及第二晶體管，與所述第一晶體管集成，并且配置為接收基準電壓，所述第二晶體管包括：第二半導體層；第二有源區(qū)域，限定在所述第二半導體層中；和第二導電層，與所述第一導電層電隔離，并且配置為接收電壓，所述第二導電層的電壓電平?jīng)Q定了第二溝道是否保持在所述第二有源區(qū)域中。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1A中所示的半導體器件的截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體器件的圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗Ｏ旅婷枋隽私M件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。此外，本發(fā)明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。