[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201611222514.7
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107039427B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 林于軒;余俊磊;林明正;蔡俊琳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L29/778
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一晶體管，位于所述半導體襯底上，所述第一晶體管包括：

第一半導體層；

有源區域，位于所述第一半導體層中；和

第一導電層，位于所述第一半導體層下面，其中導電部件將所述第一晶體管的源極部件與所述第一導電層電連接，當觸發所述第一晶體管運行時，所述第一導電層配置為保留所述有源區域中的溝道；

第二晶體管，位于所述半導體襯底上，所述第二晶體管包括：

第二半導體層；

另一有源區域，位于所述第二半導體層中；

第二導電層，位于所述第二半導體層下方并與所述第一導電層電隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

電壓源，配置為向所述第一導電層提供電壓。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一晶體管的柵極端子由信號觸發，所述信號的電壓電平等于所述第一導電層的電壓電平。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層與所述第一晶體管的源極端子在相同的電壓電平處偏置。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

所述導電部件，配置為將所述第一晶體管的所述源極端子耦合至所述第一導電層。

6.一種半導體器件，包括：

襯底，包含半導體材料；以及

第一晶體管，設置在所述襯底上，包括：

第一半導體層；

有源區域，限定在所述第一半導體層中；和

第一導電層，位于所述第一半導體層的下方并位于所述襯底的上方，其中，所述第一導電層配置為接收電壓，所述第一導電層的電壓電平決定了溝道是否保持在所述有源區域中，并且所述第一導電層配置為與所述襯底電隔離；

第二晶體管，設置在所述襯底上，包括：

第二半導體層；

另一有源區域，限定在所述第二半導體層中；和

第二導電層，位于所述第二半導體層下方并位于所述襯底上方，其中所述第二導電層與所述第一導電層電隔離。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一導電層配置為在所述第一導電層和所述襯底之間產生耗盡區。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一導電層與所述第一晶體管的源極端子具有相同的電壓電平。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括：

電壓源，配置為向所述第一導電層提供電壓。

10.一種半導體器件，包括：

第一晶體管，配置為接收電源電壓，包括：

第一半導體層；

第一有源區域，限定在所述第一半導體層中；和

第一導電層，配置為接收電壓，所述第一導電層的電壓電平決定了第一溝道是否保持在所述第一有源區域中；以及

第二晶體管，與所述第一晶體管集成，并且配置為接收基準電壓，所述第二晶體管包括：

第二半導體層；

第二有源區域，限定在所述第二半導體層中；和

第二導電層，與所述第一導電層電隔離，并且配置為接收電壓，所述第二導電層的電壓電平決定了第二溝道是否保持在所述第二有源區域中；其中所述第一晶體管和所述第二晶體管形成在單個半導體襯底上。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，當觸發所述第一晶體管運行時，所述第一導電層配置為保留所述第一溝道。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括：

電壓源，配置為向所述第一導電層提供電壓。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第一晶體管的柵極端子由信號觸發，所述信號的電壓電平等于所述第一導電層的電壓電平。