[發(fā)明專利]一種薄膜折射率獲取方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611221739.0 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106711282B | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李璐;高楊;孫杰;羅小剛;高慧慧;杜靈 | 申請(專利權)人: | 江西瑞安新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 張紅平 |
| 地址: | 338019 江西省新*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜參數(shù) 折射率 預設 薄膜 薄膜折射率 電壓參數(shù) 太陽能電池技術 對照表 轉化效率 輝光 電池 監(jiān)控 發(fā)現(xiàn) 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明涉及一種薄膜折射率獲取方法及裝置,屬于太陽能電池技術領域。所述方法應用于PECVD鍍膜工藝中,所述方法包括:根據(jù)至少一個預設鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個預設鍍膜參數(shù)中的每個預設鍍膜參數(shù)在輝光時的電壓參數(shù);根據(jù)電壓與折射率對照表獲得每個電壓參數(shù)對應的折射率;根據(jù)獲得的每個折射率和每個折射率相對應的預設鍍膜參數(shù)占總鍍膜參數(shù)的時間占比,利用折射率公式獲得薄膜的總折射率,其中,所述總鍍膜參數(shù)為所有的預設鍍膜參數(shù)的總和。該方法可以提前預知薄膜的折射率情況,能及時發(fā)現(xiàn)問題,早做調(diào)整,具有監(jiān)控的及時性,從而生產(chǎn)出的薄膜可以提高電池的轉化效率。
技術領域
本發(fā)明屬于太陽能電池技術領域,具體涉及一種薄膜折射率獲取方法及裝置。
背景技術
隨著工農(nóng)業(yè)和科技的發(fā)展,人民生活水平的不斷提高,各種新能源的開發(fā)及利用已經(jīng)成為了當今時代的主題。其中,包括對太陽能的開發(fā)及利用,例如采用太陽能電池板對太陽能的開發(fā)及利用。由于太陽能電池片中的薄膜的折射率直接影響到電池的效果。為了提高電池的鈍化效果,降低對太陽光的反射,對薄膜的折射率有嚴格的要求,因此,生產(chǎn)雙層膜、多層膜勢在必行。其中,雙層膜或多層膜中的每層薄膜的折射率直接影響其透光性和鈍化效果,從而影響電池的短路電流(Short-circuit Current,ISC)和開路電壓(Open-circuit Voltage,VOC),折射率的情況對于組件也有影響,例如薄膜的折射率要與組件鋼化玻璃的折射率相匹配,這樣才能讓更多的光到達電池表面。現(xiàn)有技術僅能監(jiān)控單層膜和雙層膜或多層膜總的折射率,而不能測出雙層膜或多層膜中的每層膜的折射率;同時,現(xiàn)有技術在獲得薄膜的折射率時候,計算工序繁瑣,效率低下,十分不便。但是,在生產(chǎn)中,監(jiān)控雙層膜或多層膜中的每層膜的折射率非常重要。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜折射率獲取方法及裝置,以有效地改善上述問題。
本發(fā)明的實施例是這樣實現(xiàn)的:
一方面,本發(fā)明實施例提供了一種薄膜折射率獲取方法,所述方法應用于PECVD鍍膜工藝中,所述方法包括:根據(jù)至少一個預設鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個預設鍍膜參數(shù)中的每個預設鍍膜參數(shù)在輝光時的電壓參數(shù);根據(jù)電壓與折射率對照表獲得每個電壓參數(shù)對應的折射率;根據(jù)獲得的每個折射率和每個折射率相對應的預設鍍膜參數(shù)占總鍍膜參數(shù)的時間占比,利用折射率公式獲得薄膜的總折射率,其中,所述總鍍膜參數(shù)為所有的預設鍍膜參數(shù)的總和。
在本發(fā)明較佳的實施例中,所述的根據(jù)電壓與折射率對照表獲得每個電壓參數(shù)對應的折射率的步驟之前,所述方法還包括:利用橢偏儀對不同預設參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進行測量;根據(jù)測得的不同預設參數(shù)下的薄膜折射率和對應該參數(shù)在輝光時的電壓參數(shù)關系,獲得電壓與折射率對照表。
在本發(fā)明較佳的實施例中,所述的利用橢偏儀對不同預設參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進行測量的步驟包括:根據(jù)預設工藝獲得每個預設參數(shù)對應的薄膜;利用橢偏儀對所述每個預設參數(shù)對應的薄膜的折射率進行測量。
在本發(fā)明較佳的實施例中,所述的根據(jù)預設工藝獲得每個預設參數(shù)對應的薄膜的步驟包括:將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi),對所述PECVD鍍膜工藝腔進行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理,根據(jù)輸入的參數(shù)進行鍍膜,鍍膜工藝結束后,依次進行抽真空、循環(huán)吹掃及充氮氣后,將所述石墨舟移出所述PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。
在本發(fā)明較佳的實施例中,所述折射率公式為:n=T1*n1+T2*n2+...+TN*nN,其中,n為薄膜總的折射率,n1為第一層薄膜的折射率,nN為第N層薄膜的折射率,T1為第一層鍍膜時間占總鍍膜時間的占比,TN為第N層鍍膜時間占總鍍膜時間的占比。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





