[發明專利]一種薄膜折射率獲取方法及裝置

有效

• 申請號: 201611221739.0
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106711282B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 李璐;高楊;孫杰;羅小剛;高慧慧;杜靈
• 申請（專利權）人: 江西瑞安新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 張紅平

1.一種薄膜折射率獲取方法，其特征在于，所述方法應用于PECVD鍍膜工藝中，所述方法包括：

根據至少一個預設鍍膜參數獲得所述至少一個預設鍍膜參數中的每個預設鍍膜參數在輝光時的電壓參數；

根據電壓與折射率對照表獲得每個電壓參數對應的折射率；

根據獲得的每個折射率和每個折射率相對應的預設鍍膜參數占總鍍膜參數的時間占比，利用折射率公式獲得薄膜的總折射率，其中，所述總鍍膜參數為所有的預設鍍膜參數的總和。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根據電壓與折射率對照表獲得每個電壓參數對應的折射率的步驟之前，所述方法還包括：

利用橢偏儀對不同預設參數下獲得的薄膜的折射率進行測量；

根據測得的不同預設參數下的薄膜折射率和對應該參數在輝光時的電壓參數關系，獲得電壓與折射率對照表。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述的利用橢偏儀對不同預設參數下獲得的薄膜的折射率進行測量的步驟包括：

根據預設工藝獲得每個預設參數對應的薄膜；

利用橢偏儀對所述每個預設參數對應的薄膜的折射率進行測量。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述的根據預設工藝獲得每個預設參數對應的薄膜的步驟包括：

將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內，對所述PECVD鍍膜工藝腔進行抽真空、壓力調試、溫度調試處理，根據輸入的參數進行鍍膜，鍍膜工藝結束后，依次進行抽真空、循環吹掃及充氮氣后，將所述石墨舟移出所述PECVD鍍膜工藝腔內。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述折射率公式為：n＝T₁*n₁+T₂*n₂+...+T_N*n_N，其中，n為薄膜總的折射率，n₁為第一層薄膜的折射率，n_N為第N層薄膜的折射率，T₁為第一層鍍膜時間占總鍍膜時間的占比，T_N為第N層鍍膜時間占總鍍膜時間的占比。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根據至少一個預設鍍膜參數獲得所述至少一個預設鍍膜參數中的每個預設鍍膜參數在輝光時的電壓參數的步驟包括：將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內，根據至少一個預設鍍膜參數獲得所述至少一個預設鍍膜參數中的每個預設鍍膜參數在輝光時的電壓參數。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內的步驟包括：對所述PECVD鍍膜工藝腔進行抽真空、壓力調試、溫度調試處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一個預設鍍膜參數中的每個預設鍍膜參數均包括：鍍膜時間。