[發明專利]OLED顯示裝置的雙層柵極結構的制作方法有效
| 申請號: | 201611219662.3 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106711088B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 趙瑜 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光阻圖案 曝光區 光阻區 半色調掩膜板 蝕刻 第二金屬層 第一金屬層 雙層柵極 遮擋 生產成本低 去除 制程 制作 | ||
本發明提供一種OLED顯示裝置的雙層柵極結構的制作方法,提供包括第一曝光區、設于第一曝光區外側并與其相鄰的第二曝光區、及剩余的第三曝光區的半色調掩膜板,利用該半色調掩膜板在第一金屬層上形成包括分別對應第一、及第二曝光區的第一、及第二光阻區的第一光阻圖案,且第一光阻圖案在第一光阻區的厚度大于在第二光阻區的厚度,接著去除第二光阻區的第一光阻圖案,以剩余的第一光阻圖案為遮擋蝕刻第一金屬層形成第一柵極,在后續制程中通過同一道半色調掩膜板在第二金屬層上形成位于第一柵極上方且尺寸與第一光阻圖案相同的第二光阻圖案,并以第二光阻圖案為遮擋蝕刻第二金屬層,形成位于第一柵極上方的第二柵極,操作簡單,生產成本低。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示裝置的雙層柵極結構的制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器,也稱為有機電致發光顯示器,是一種新興的平板顯示裝置,由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快,而且易于實現彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現和集成電路驅動器相匹配、易于實現柔性顯示等優點,因而具有廣闊的應用前景。
OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管(ThinFilm Transistor,TFT)矩陣尋址兩類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
AMOLED是電流驅動器件,當有電流流經有機發光二極管時,有機發光二極管發光,且發光亮度由流經有機發光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(IntegratedCircuit,IC)都只傳輸電壓信號,故AMOLED的像素驅動電路需要完成將電壓信號轉換為電流信號的任務。現有技術中,AMOLED的每個像素均配備具有開關功能的開關TFT、柵極接入電壓信號并向OLED輸出相應電流信號的驅動TFT、及用于存儲電壓信號的存儲電容,將輸入像素驅動電路的電壓信號轉換為電流信號,以驅動OLED發光。
在現有的OLED技術中,常常采用雙層柵極設計,主要作用為傳遞柵極信號與形成存儲電容。其中承擔傳遞柵極信號作用與作為存儲電容的一個電極板的第一柵極為線(Line)式設計,而作為存儲電容另一個電極板的第二柵極為板(Pad)式設計,在第一柵極與第二柵極之間重疊的區域形成OLED像素驅動電路中的存儲電容。為了避免第一柵極與第二柵極之間的對位偏差較大,一般需要設計第二柵極的尺寸大于第一柵極的尺寸,這使得需要使用兩道不同的掩膜板分別形成第一柵極與第二柵極,制作成本較高。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示裝置的雙層柵極結構的制作方法,只需一道半色調掩膜板即可完成第一柵極、及尺寸大于第一柵極的第二柵極的制作,操作簡單,生產成本低。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED顯示裝置的雙層柵極結構的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板,在所述基板上沉積金屬材料,形成第一金屬層;
步驟2、提供一半色調掩膜板;
所述半色調掩膜板包括第一曝光區、位于所述第一曝光區外側與第一曝光區相鄰的第二曝光區、及除第一曝光區及第二曝光區以外剩余的第三曝光區;
步驟3、在第一金屬層上涂布光阻材料,形成第一光阻層,利用所述半色調掩膜板對第一光阻層進行曝光顯影,得到第一光阻圖案;
所述第一光阻圖案包括對應第一曝光區的第一光阻區、及對應第二曝光區的第二光阻區;
所述第一光阻圖案在第一光阻區的厚度大于在第二光阻區的厚度;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





