[發(fā)明專利]OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611219662.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106711088B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙瑜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光阻圖案 曝光區(qū) 光阻區(qū) 半色調(diào)掩膜板 蝕刻 第二金屬層 第一金屬層 雙層?xùn)艠O 遮擋 生產(chǎn)成本低 去除 制程 制作 | ||
1.一種OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板(100),在所述基板(100)上沉積金屬材料,形成第一金屬層(200’);
步驟2、提供一半色調(diào)掩膜板(900);
所述半色調(diào)掩膜板(900)包括第一曝光區(qū)(910)、位于所述第一曝光區(qū)(910)外側(cè)與第一曝光區(qū)(910)相鄰的第二曝光區(qū)(920)、及除第一曝光區(qū)(910)及第二曝光區(qū)(920)以外剩余的第三曝光區(qū)(930);
步驟3、在第一金屬層(200’)上涂布光阻材料,形成第一光阻層,利用所述半色調(diào)掩膜板(900)對(duì)第一光阻層進(jìn)行曝光顯影,得到第一光阻圖案(300);
所述第一光阻圖案(300)包括對(duì)應(yīng)第一曝光區(qū)(910)的第一光阻區(qū)(310)、及對(duì)應(yīng)第二曝光區(qū)(920)的第二光阻區(qū)(320);
所述第一光阻圖案(300)在第一光阻區(qū)(310)的厚度大于在第二光阻區(qū)(320)的厚度;
步驟4、對(duì)第一光阻圖案(300)進(jìn)行灰化,去除第二光阻區(qū)(320)的第一光阻圖案(300),減薄第一光阻區(qū)(310)的第一光阻圖案(300),以剩余的第一光阻圖案(300)為遮擋對(duì)第一金屬層(200’)進(jìn)行蝕刻,形成第一柵極(200),去除剩余的第一光阻圖案(300);
步驟5、在所述第一柵極(200)、及基板(100)上形成柵極絕緣層(400);
步驟6、在所述柵極絕緣層(400)上沉積金屬材料,形成第二金屬層(500’),在第二金屬層(500’)上涂布光阻材料,形成第二光阻層,利用所述半色調(diào)掩膜板(900)對(duì)第二光阻層進(jìn)行曝光顯影,得到位于所述第一柵極(200)上方的與第一光阻圖案(300)尺寸相同的第二光阻圖案(600);
步驟7、以第二光阻圖案(600)為遮擋對(duì)第二金屬層(500’)進(jìn)行蝕刻,形成第二柵極(500)。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述第一曝光區(qū)(910)的透光率大于第二曝光區(qū)(920)的透光率,所述第二曝光區(qū)(920)的透光率大于第三曝光區(qū)(930)的透光率;
所述光阻材料為負(fù)性光阻材料。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述第一曝光區(qū)(910)的透光率小于第二曝光區(qū)(920)的透光率,所述第二曝光區(qū)(920)的透光率小于第三曝光區(qū)(930)的透光率;
所述光阻材料為正性光阻材料。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述第二光阻圖案(600)包括對(duì)應(yīng)所述第一曝光區(qū)(910)的第三光阻區(qū)(610)、及對(duì)應(yīng)所述第二曝光區(qū)(920)的第四光阻區(qū)(620);所述第二光阻圖案(600)在第三光阻區(qū)(610)的厚度大于在第四光阻區(qū)(620)的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述第一曝光區(qū)(910)的邊緣形狀與第二曝光區(qū)(920)的邊緣形狀相同。
6.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述步驟1中通過(guò)物理氣相沉積的方法在基板(100)上沉積金屬材料,形成第一金屬層(200’);
所述步驟6中通過(guò)物理氣相沉積的方法在柵極絕緣層(400)上沉積金屬材料,形成第二金屬層(500’)。
7.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述步驟5中通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法在所述第一柵極(200)、及基板(100)上形成柵極絕緣層(400)。
8.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述基板(100)為玻璃基板。
9.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述步驟7還包括去除第二柵極(500)上的第二光阻圖案(600)的步驟。
10.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的雙層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述基板(100)為柔性基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)武漢華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611219662.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





