[發明專利]一種GPP芯片電泳法制作工藝

在審

• 申請號: 201611218647.7
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106653600A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 張波;宋委
• 申請（專利權）人: 鳳陽嘉禾農業科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述制作工藝包括選擇制造材料、硅片清洗、磷預淀積、硼擴散、雙面噴砂去氧化層、鈍化保護、玻璃鈍化、漂洗和劃片。

2.根據權利要求1所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述選擇制造材料采用N型直拉單晶硅，選擇原始硅片厚度約270±10um。

3.根據權利要求2所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述硅片清洗用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機內清洗硅片，清洗完成后使用烘干機使其表面潔凈并烘干。

4.根據權利要求3所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述磷預淀積選用P60紙質磷源，所述P60紙質磷源更適合GPP芯片的生產，所述硅片每兩片中間放一張磷源紙，將硅片排列整齊并壓緊在石英舟中。

5.根據權利要求4所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述硼擴散硼源選用B40紙質硼源。

6.根據權利要求5所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述雙面噴砂去氧化層，硅片經自來水清洗后，噴砂去除未附磷紙那一面的擴散層，同時減薄硅片去除約10um，用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機內清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金屬雜質、可動離子和有機物，使其表面潔凈并烘干。

7.根據權利要求6所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述鈍化保護鈍化液包括氧化氫、磷酸和去離子水，所述鈍化液的配比為過氧化氫：磷酸：去離子水＝1：1：2-4；溫度70℃±5℃，時間為40s-60s。

8.根據權利要求7所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述玻璃鈍化包括以下步驟：

(1)乙二醇和醋酸纖維素作為懸浮媒介，所述乙二醇和醋酸纖維素的體積比為1:1。

(2)每100克懸浮液中加入2-4克玻璃粉，利用超聲波進行超聲4-5分鐘，將超聲過后的液體靜置4-5分鐘后將其倒入石英液槽內。

(3)按2.0-4.0g/L的比例加入28％的氨水。

(4)上述電解液添加好后超聲混合4分鐘然后將攜帶硅片及其反電極的裝置浸入電解液中，硅片和反電極的最佳距離是2厘米。

(5)懸浮液靜置30秒后由直流電源通過電泳裝置的端子加以100-200V/cm場強，靜置2-4分鐘。

9.根據權利要求8所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述漂洗的漂洗液體為氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液對芯片進行漂洗，漂洗時間為60-90s，用于去除表面的氧化層。

10.根據權利要求9所述的一種GPP芯片電泳法制作工藝，其特征在于：所述劃片是將漂洗完成過后的芯片按照規定的形狀進行劃片處理，得到所需的芯片。