[發明專利]一種GPP芯片電泳法制作工藝

在審

• 申請號: 201611218647.7
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106653600A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 張波;宋委
• 申請（專利權）人: 鳳陽嘉禾農業科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及GPP芯片技術領域，具體為一種GPP芯片電泳法制作工藝。

背景技術

隨著半導體技術的發展，對半導體表面鈍化的要求越來越高，作為GPP芯片一種鈍化材料，無疑應具備：一是良好的電氣性能和可靠性，包括電阻率、介電強度、離子遷移率等，材料的引入不應給器件帶來副作用；二是良好的化學穩定性，半導體工藝是用化學試劑開展的工藝，作為器件的鈍化材料，應有一定的抗化學腐蝕能力；三是可操作性，工藝要簡單，重復性好，能與器件制造工藝相容，材料的膨脹系數要與硅材料相一致或接近；四是經濟性。可大批量生產，制造成本要低，有市場競爭力，材料和工藝有強大的生命力和開發潛力，根據上述要求，近年來市場上出現的利用半導體鈍化專用玻璃制作玻璃鈍化硅二極管(GPP)芯片就是一種較為理想的半導體鈍化材料，目前，使用玻璃鈍化硅二極管(GPP)芯片的呼聲越來越高，并得到電子行業內人士的普遍認可。

現在市面上的一些方法對GPP芯片的處理并不符合現在理想的狀態，所以現在市面上需要一種電泳法鈍化GPP芯片。

發明內容

本發明的目的在于提供一種GPP芯片電泳法制作工藝，以解決背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種GPP芯片電泳法制作工藝，所述制作工藝包括選擇制造材料、硅片清洗、磷預淀積、硼擴散、雙面噴砂去氧化層、鈍化保護、玻璃鈍化、漂洗和劃片。

優選的，所述選擇制造材料采用N型直拉單晶硅，選擇原始硅片厚度約270±10um。

優選的，所述硅片清洗用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機內清洗硅片，清洗完成后使用烘干機使其表面潔凈并烘干。

優選的，所述磷預淀積選用P60紙質磷源，所述P60紙質磷源更適合GPP芯片的生產，所述硅片每兩片中間放一張磷源紙，將硅片排列整齊并壓緊在石英舟中。

優選的，所述硼擴散硼源選用B40紙質硼源。

優選的，所述雙面噴砂去氧化層，硅片經自來水清洗后，噴砂去除未附磷紙那一面的擴散層，同時減薄硅片去除約10um，用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機內清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金屬雜質、可動離子和有機物，使其表面潔凈并烘干。

優選的，所述鈍化保護鈍化液包括氧化氫、磷酸和去離子水，所述鈍化液的配比為過氧化氫：磷酸：去離子水＝1：1：2-4；溫度70℃±5℃，時間為40s-60s。

優選的，所述玻璃鈍化包括以下步驟：

(1)乙二醇和醋酸纖維素作為懸浮媒介，所述乙二醇和醋酸纖維素的體積比為1:1。

(2)每100克懸浮液中加入2--4克玻璃粉，利用超聲波進行超聲4--5分鐘，將超聲過后的液體靜置4--5分鐘后將其倒入石英液槽內。

(3)按2.0-4.0g/L的比例加入28％的氨水。

(4)上述電解液添加好后超聲混合4分鐘然后將攜帶硅片及其反電極的裝置浸入電解液中，硅片和反電極的最佳距離是2厘米。

(5)懸浮液靜置30秒后由直流電源通過電泳裝置的端子加以100--200V/cm場強，靜置2-4分鐘。

優選的，所述漂洗的漂洗液體為氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液對芯片進行漂洗，漂洗時間為60-90s，用于去除表面的氧化層。

優選的，所述劃片是將漂洗完成過后的芯片按照規定的形狀進行劃片處理，得到所需的芯片。

本發明采用的GPP芯片制造的全過程，從材料的選取到最后物體的制成全部涉及到，而使用電泳法對玻璃進行鈍化使玻璃的附著面更廣，使附著更加的均勻，提高了GPP芯片的質量，可以更好的進行信息的傳導。

具體實施方式

對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例一：

一種GPP芯片電泳法制作工藝，制作工藝包括選擇制造材料、硅片清洗、磷預淀積、硼擴散、雙面噴砂去氧化層、鈍化保護、玻璃鈍化、漂洗和劃片。

選擇制造材料采用N型直拉單晶硅，選擇原始硅片厚度約270um。

硅片清洗用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機內清洗硅片，清洗完成后使用烘干機使其表面潔凈并烘干。

磷預淀積選用P60紙質磷源，P60紙質磷源更適合GPP芯片的生產，硅片每兩片中間放一張磷源紙，將硅片排列整齊并壓緊在石英舟中。