[發明專利]柔性AMOLED顯示面板在審
| 申請號: | 201611216204.4 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106601776A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 陳彩琴 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 amoled 顯示 面板 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性AMOLED顯示面板。
背景技術
平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有機發光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
有機發光二極管顯示器件由于同時具備自發光,不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異特性,被認為是下一代平面顯示器的新興應用技術。OLED顯示裝置按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)矩陣尋址兩類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,性能優異。
OLED顯示裝置通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的有機發光層、以及設于有機發光層上的陰極。工作時向有機發光層發射來自陽極的空穴和來自陰極的電子,將這些電子和空穴組合產生激發性電子-空穴對,并將激發性電子-空穴對從受激態轉換為基態實現發光。
柔性顯示是OLED顯示裝置的一大特色,可變型可彎曲的柔性顯示裝置能夠給用戶帶來顛覆性的使用體驗。但目前的柔性顯示技術還不夠成熟,現有的柔性顯示面板為了防止第一金屬層中的柵極與第二金屬層中的源極和漏極之間產生漏電,通常會設置第一金屬層與第二金屬層之間的絕緣層厚度比其他的絕緣層的厚度更大,這樣就導致該絕緣層的應力性能也更差,在屏幕彎曲時,更容易出現斷裂和脫落等不良現象,進而造成產品的不良。
發明內容
本發明的目的在于提供了一種柔性AMOLED顯示面板,能夠改善柔性AMOLED顯示面板的應力性能,防止屏幕彎曲時出現斷裂和脫落的不良現象。
為實現上述目的,本發明提供了一種柔性AMOLED顯示面板,包括:柔性襯底、覆蓋所述柔性襯底的緩沖層、設于所述緩沖層上的TFT層、設于所述TFT層上的平坦化層、設于所述平坦化層上的陽極、設于所述陽極上的像素定義層、設于所述陽極上且被所述像素定義層包圍的有機發光層、以及設于所述有機發光層以及像素定義層上的陰極;
所述TFT層包括:設于所述緩沖層上的半導體層、覆蓋所述半導體層以及緩沖層的柵極絕緣層、設于所述半導體層上的柵極絕緣層上的柵極、設于所述柵極以及柵極絕緣層上的層間絕緣層、設于所述層間絕緣層上間隔分布的源極和漏極;
所述半導體層、柵極、源極和漏極共同形成TFT結構;
在TFT結構以外的區域,從所述層間絕緣層開始往下形成有至少貫穿所述層間絕緣層的鏤空結構,所述鏤空結構內填充有平坦化層。
所述鏤空結構貫穿所述層間絕緣層以及柵極絕緣層。
所述鏤空結構貫穿所述層間絕緣層、柵極絕緣層、以及緩沖層。
所述柔性襯底包括:第一有機聚合物層、覆蓋所述第一有機聚合物層的無機絕緣層、覆蓋所述無機絕緣層的第二有機聚合物層。
所述平坦化層的材料為透明的有機材料。
所述層間絕緣層和柵極絕緣層的材料為SiOx和SiNx中的一種或二者的組合。
所述半導體層的材料為低溫多晶硅。
所述源極和漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層以及柵極絕緣層上的兩過孔與所述半導體層的兩端接觸。
所述陽極通過貫穿所述平坦化層的過孔與所述漏極接觸。
所述柵極、源極和漏極的材料為銅、鉬和鋁中一種或多種的組合。
本發明的有益效果:本發明提供了一種柔性AMOLED顯示面板,該柔性AMOLED顯示面板在TFT結構以外的區域從所述層間絕緣層開始往下形成有至少貫穿所述層間絕緣層的鏤空結構并在鏤空結構內填充有平坦化層,利用平坦化層的有機材料代替層間絕緣層、柵極絕緣層、以及緩沖層的無機材料,能夠改善柔性AMOLED顯示面板的應力性能,防止屏幕彎曲時出現斷裂和脫落的不良現象,且鏤空結構設置于TFT結構以外的區域,不影響TFT結構中柵極與源極和漏極之間的絕緣效果。
附圖說明
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附圖中,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





