[發明專利]柔性AMOLED顯示面板在審
| 申請號: | 201611216204.4 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106601776A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 陳彩琴 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 amoled 顯示 面板 | ||
1.一種柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,包括:柔性襯底(1)、覆蓋所述柔性襯底(1)的緩沖層(2)、設于所述緩沖層(2)上的TFT層(3)、設于所述TFT層(3)上的平坦化層(4)、設于所述平坦化層(4)上的陽極(5)、設于所述陽極(5)上的像素定義層(6)、設于所述陽極(5)上且被所述像素定義層(6)包圍的有機發光層(7)、以及設于所述有機發光層(7)以及像素定義層(6)上的陰極(8);
所述TFT層(3)包括:設于所述緩沖層(2)上的半導體層(31)、覆蓋所述半導體層(31)以及緩沖層(2)的柵極絕緣層(32)、設于所述半導體層(31)上的柵極絕緣層(32)上的柵極(33)、設于所述柵極(33)以及柵極絕緣層(32)上的層間絕緣層(34)、設于所述層間絕緣層(34)上間隔分布的源極(35)和漏極(36);
所述半導體層(31)、柵極(33)、源極(35)和漏極(36)共同形成TFT結構;
在TFT結構以外的區域,從所述層間絕緣層(34)開始往下形成有至少貫穿所述層間絕緣層(34)的鏤空結構(37),所述鏤空結構(37)內填充有平坦化層(4)。
2.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述鏤空結構(37)貫穿所述層間絕緣層(34)以及柵極絕緣層(32)。
3.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述鏤空結構(37)貫穿所述層間絕緣層(34)、柵極絕緣層(32)、以及緩沖層(2)。
4.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述柔性襯底(1)包括:第一有機聚合物層(11)、覆蓋所述第一有機聚合物層(11)的無機絕緣層(12)、覆蓋所述無機絕緣層(12)的第二有機聚合物層(13)。
5.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述平坦化層(4)的材料為透明的有機材料。
6.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述層間絕緣層(34)和所述柵極絕緣層(32)的材料為SiOx和SiNx中的一種或二者的組合。
7.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述半導體層(31)的材料為低溫多晶硅。
8.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述源極(35)和漏極(36)分別通過貫穿所述層間絕緣層(34)以及柵極絕緣層(32)上的兩過孔與所述半導體層(31)的兩端接觸。
9.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述陽極(5)通過貫穿所述平坦化層(4)的過孔與所述漏極(36)接觸。
10.如權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述柵極(33)、源極(35)和漏極(36)的材料為銅、鉬和鋁中一種或多種的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





