[發明專利]高性能可鋼雙銀LOW?E玻璃及其制造方法在審
| 申請號: | 201611215619.X | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN107010844A | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發明(設計)人: | 王俊;王桂榮 | 申請(專利權)人: | 武漢長利新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C03C17/36 | 分類號: | C03C17/36 |
| 代理公司: | 武漢開元知識產權代理有限公司42104 | 代理人: | 俞鴻,唐玲 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市漢南區經濟開*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 性能 可鋼雙銀 low 玻璃 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及鍍膜玻璃生產技術,具體地指一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃及其制造方法。
背景技術
雙銀Low-E鍍膜玻璃是一種新型高光熱選擇性建筑節能玻璃,與單銀Low-E鍍膜玻璃相比,一方面,其在不降低可見光透過率的同時具有更低的遮陽系數,能更大限度地將太陽光過濾成冷光源,另一方面,雙銀Low-E鍍膜玻璃的傳熱系數較單銀Low-E更低,進一步提高了外窗的保溫性能,真正達到了冬暖夏涼。總的來說,雙銀Low-E鍍膜玻璃較單銀Low-E鍍膜玻璃在滿足良好采光性能的同時,更大程度地提高了室內熱舒適度,減少了設備采暖制冷的運行時間,節約了電能,是節約環保的好產品。由于雙銀Low-E鍍膜玻璃膜層較多,且有兩層金屬銀,鍍制高結晶性的生長層是獲得連續高質量金屬銀層的關鍵。但目前雙銀LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護層和銀層氧化嚴重,進而使得膜層機械加工性不好,不利于加工廠商使用。
發明內容
本發明的目的就是要提供一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃及其制造方法,該玻璃機械加工性能好,光熱性能高。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案是:一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃,包括玻璃基底及鍍制于所述玻璃基底上的鍍膜層,所述鍍膜層由內向外依次包括第一介質層,第一生長層,第一保護層,第一銀層,第二保護層,第二生長層,第二介質層,第三生長層,第三保護層,第二銀層,第四保護層,第四生長層,第三介質層。
本發明制得的雙銀LOW-E玻璃,其鍍層抗化學腐蝕性和機械性能優良,而且雙銀LOW-E玻璃光學性能優良、機械加工性能好,解決了雙銀LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護層和銀層氧化嚴重導致膜層機械加工性不好的問題。
進一步地,所述第一生長層,所述第二生長層,所述第三生長層及所述第四生長層均為第三主族金屬與H共摻雜的ZnO透明導電氧化物薄膜,各層厚度為5~40nm。采用第三主族金屬(Al,Ga或In)與H共摻雜的ZnO(AZO、GZO、IZO)透明導電氧化物薄膜,不但保證了ZnO晶體結構的完整,也避免了金屬保護層和銀層的氧化,從而大幅提升了雙銀LOW-E玻璃的機械加工性能和光熱性能。
進一步地,所述第一介質層,所述第二介質層及所述第三介質層均為Si3N4薄膜,各層厚度為20~80nm。
進一步地,所述第一保護層,所述第二保護層,所述第三保護層及所述第四保護層均為NiCr合金薄膜,各層厚度為0.5~3nm。
進一步地,所述第一銀層和所述第二銀層的厚度分別為8~20nm;所述第一銀層與所述第二銀層厚度比為1:1~3。
上述高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法,在玻璃基底上由內向外依次鍍制第一介質層,第一生長層,第一保護層,第一銀層,第二保護層,第二生長層,第二介質層,第三生長層,第三保護層,第二銀層,第四保護層,第四生長層,第三介質層。
本發明采用連續真空磁控濺射工藝依次鍍制第一介質層,第一生長層,第一保護層,第一銀層,第二保護層,第二生長層,第二介質層,第三生長層,第三保護層,第二銀層,第四保護層,第四生長層,第三介質層,制得的雙銀LOW-E玻璃,其鍍層抗化學腐蝕性和機械性能優良,而且雙銀LOW-E玻璃光學性能優良和機械加工性能好,解決了雙銀LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護層和銀層氧化嚴重導致膜層機械加工性不好的問題。
進一步地,鍍制所述第一生長層,所述第二生長層,所述第三生長層時,采用脈沖直流磁控濺射工藝鍍制,靶材為摻雜第三主族金屬的ZnO陶瓷靶,靶材致密度>99.5%,濺射氣氛為Ar和H2。第一生長層和第二生長層通過脈沖直流磁控濺射摻雜第三主族金屬的ZnO(如AZO、GZO、IZO)陶瓷靶鍍制,濺射過程中H2電離為H+等離子體,在薄膜生長過程中摻入ZnO晶格中與摻雜金屬共同形成AZO:H、(或GZO:H、IZO:H)透明導電氧化物,提高其紅外反射率及穩定性;本發明采用Ar和H2為混合濺射氣體取代原有的Ar和O2混合濺射氣體,減少了濺射過程中O的引入,避免了金屬保護層及銀層的氧化,使得膜層的結合力大大提高,有助于LOW-E玻璃的進一步加工;此外,H的摻入形成穩定的AZO:H(或GZO:H、IZO:H)透明導電氧化物使得LOW-E膜電阻率進一步下降,紅外反射增強,光熱性能進一步提高。
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