[發明專利]高性能可鋼雙銀LOW?E玻璃及其制造方法

在審

• 申請號: 201611215619.X
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN107010844A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 王俊;王桂榮
• 申請（專利權）人: 武漢長利新材料科技有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司42104
• 代理人: 俞鴻,唐玲

1.一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基底(1)及鍍制于所述玻璃基底(1)上的鍍膜層，其特征在于：所述鍍膜層由內向外依次包括第一介質層(2)，第一生長層(3)，第一保護層(4)，第一銀層(5)，第二保護層(6)，第二生長層(7)，第二介質層(8)，第三生長層(9)，第三保護層(10)，第二銀層(11)，第四保護層(12)，第四生長層(13)，第三介質層(14)。

2.根據權利要求1所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一生長層(3)，所述第二生長層(7)，所述第三生長層(9)及所述第四生長層(13)均為第三主族金屬與H共摻雜的ZnO透明導電氧化物薄膜，各層厚度為5～40nm。

3.根據權利要求1所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一介質層，所述第二介質層及所述第三介質層均為Si₃N₄薄膜，各層厚度為20～80nm。

4.根據權利要求1所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一保護層(4)，所述第二保護層(6)，所述第三保護層(10)及所述第四保護層(12)均為NiCr合金薄膜，各層厚度為0.5～3nm。

5.根據權利要求1所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一銀層(5)和所述第二銀層(11)的厚度分別為8～20nm；所述第一銀層(5)與所述第二銀層(11)厚度比為1:1～3。

6.一種權利要求1所述性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：在玻璃基底上由內向外依次鍍制第一介質層，第一生長層，第一保護層，第一銀層，第二保護層，第二生長層，第二介質層，第三生長層，第三保護層，第二銀層，第四保護層，第四生長層，第三介質層。

7.根據權利要求6所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：鍍制所述第一生長層，所述第二生長層，所述第三生長層時，采用脈沖直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為摻雜第三主族金屬的ZnO陶瓷靶，靶材致密度＞99.5％，濺射氣氛為Ar和H₂。

8.根據權利要求7所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：鍍制Al，Ga或In與H共摻雜的AZO:H，GZO:H或IZO:H透明導電氧化物薄膜，以Al，Ga或In摻雜的ZnO陶瓷為靶材，AZO中Al含量為1～3wt％，GZO中Ga含量為4～8wt％，IZO中In含量為8～15wt％；濺射氣氛中的Ar與H₂的體積流量比為1～12％。

9.根據權利要求6所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：所述第一介質層，所述第二介質層，所述第三介質層采用交流磁控濺射工藝鍍制，靶材為硅鋁合金靶，靶材中重量比Si/Al＝90/10，濺射氣氛為Ar與N₂，Ar與N₂的體積流量比為5：6。

10.根據權利要求6所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：所述第一保護層，所述第二保護層，所述第三保護層及所述第四保護層采用直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為鎳鉻合金靶，靶材中重量比Ni/Cr＝80/20，濺射氣氛為Ar。

11.根據權利要求6所述的高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于：所述第一銀層和所述第二銀層采用直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為金屬銀，靶材純度＞99.9％，濺射氣氛為Ar。