[發(fā)明專利]一種在碳基材料表面制備MoSi2涂層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611214194.0 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106588122B | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邱杰;劉華劍;俞國軍;劉崎;夏匯浩;謝雷東;侯惠奇 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海應用物理研究所 |
| 主分類號: | C04B41/87 | 分類號: | C04B41/87;C04B35/52 |
| 代理公司: | 北京德崇智捷知識產(chǎn)權代理有限公司 11467 | 代理人: | 楊楠 |
| 地址: | 201800 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基材 表面 制備 mosi2 涂層 方法 | ||
1.一種在碳基材料表面制備MoSi2涂層的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟A、將MoO3粉與氟鹽均勻混合,得到MoO3的質(zhì)量占比為10%~30%的混合料粉;所述氟鹽由至少一種金屬氟化物構成;
步驟B、將待處理的碳基材料包埋于所述混合料粉中,并在真空或惰性氣氛保護條件下,于800~900℃保溫2~12小時,之后去除碳基材料表面的氟鹽,得到表面具有Mo2C涂層的碳基材料;
步驟C、將所述表面具有Mo2C涂層的碳基材料包埋在由Si粉、SiC粉與活化劑混合而成的包埋粉料中,在真空或惰性氣氛保護條件下,在850~950℃保溫2~6小時后自然冷卻至室溫;所述包埋粉料中Si粉的質(zhì)量百分含量為10~20%,活化劑的質(zhì)量百分含量為5~10%,SiC的含量為余量,所述活化劑為NiF2和/或FeF3。
2.如權利要求1所述方法,其特征在于,所述氟鹽由LiF、NaF、KF、ZrF4中的至少
一種構成。
3.如權利要求2所述方法,其特征在于,所述氟鹽由LiF、NaF、KF按照46.5:11.5:
42的摩爾百分比構成。
4.如權利要求1所述方法,其特征在于,待處理的碳基材料預先經(jīng)過以下處理:依次用400、800、1500目砂紙打磨,然后清洗烘干。
5.如權利要求1所述方法,其特征在于,所述包埋粉料在使用前先進行烘干處理,烘干處理溫度為80~120℃。
6.一種碳基材料,其表面具有使用權利要求1~5任一項所述方法制備的MoSi2涂層。
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