[發明專利]多晶硅層的制造方法和薄膜晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 201611207483.8
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106783544A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 邢升陽
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 李慶波

1.一種多晶硅層的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

對含有四氫化硅SiH₄和三氫化硼BH₃的氣體進行等離子處理，以形成摻雜有硼離子B³⁺的非晶硅層；

對所述非晶硅層進行熱退火處理，使得摻雜有B³⁺的所述非晶硅層形成多晶硅半導體層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在充滿惰性氣體的氛圍中對含有SiH₄和BH₃的氣體進行等離子處理。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法形成所述非晶硅層。

4.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板；

對含有四氫化硅SiH₄和三氫化硼BH₃的氣體進行等離子處理，以在所述基板上形成摻雜有硼離子B³⁺的非晶硅層；

對所述非晶硅層進行熱退火處理，使得摻雜有B³⁺的所述非晶硅層形成包括源極接觸區和漏極接觸區的多晶硅半導體層；

在對應于所述源極接觸區和所述漏極接觸區的上方分別形成源極圖案和漏極圖案，使得所述源極圖案和所述漏極圖案可分別與所述源極接觸區和所述漏極接觸區電連接。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在充滿惰性氣體的氛圍中對含有SiH₄和BH₃的氣體進行等離子處理。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法在所述基板上形成所述非晶硅層。

7.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述多晶硅半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極圖案，且所述柵極圖案位于所述源極接觸區和所述漏極接觸區之間的上方。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述源極圖案和所述漏極圖案的步驟包括：

在所述柵極圖案上形成層間介電層；

在對應于所述源極接觸區和所述漏極接觸區的上方形成貫穿所述層間介電層和所述柵極絕緣層的接觸孔；

在所述層間介電層的對應于所述源極接觸區和所述漏極接觸區的上方分別形成源極圖案和漏極圖案，使得所述源極圖案和所述漏極圖案可通過所述接觸孔分別與所述源極接觸區和所述漏極接觸區電連接。

9.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成所述非晶硅層的步驟包括：

在所述基板上依次形成柵極圖案和柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成所述非晶硅層。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成所述源極圖案和所述漏極圖案的步驟包括：

在所述多晶硅半導體層上形成層間介電層；

在對應于所述源極接觸區和所述漏極接觸區的上方形成貫穿所述層間介電層的接觸孔；

在所述層間介電層的對應于所述源極接觸區和所述漏極接觸區的上方分別形成源極圖案和漏極圖案，使得所述源極圖案和所述漏極圖案可通過所述接觸孔分別與所述源極接觸區和所述漏極接觸區電連接。