[發明專利]二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器

有效

• 申請號: 201611206659.8
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106785254B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 章樂;李九生
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于包括基底層（1）、二氧化硅層（2）、右端矩形二硫化鉬薄膜（3）、條狀二硫化鉬薄膜（4）、左端矩形二硫化鉬薄膜（5）、第一圓形開槽（6）、第二圓形開槽（7）、第三圓形開槽（8）、第四圓形開槽（9）、第五半圓形開槽（10）、第六半圓形開槽（11）、第七圓形開槽（12）、第八圓形開槽（13）、第九圓形開槽（14）、第十圓形開槽（15）、信號輸入端（16）、信號輸出端（17）；基底層（1）的上層為二氧化硅層（2），二氧化硅層（2）的上層鋪有右端矩形二硫化鉬薄膜（3）、條狀二硫化鉬薄膜（4）、左端矩形二硫化鉬薄膜（5），條形二硫化鉬薄膜（4）上設有第一圓形開槽（6）、第二圓形開槽（7）、第三圓形開槽（8）、第四圓形開槽（9）、第五半圓形開槽（10）、第六半圓形開槽（11）、第七圓形開槽（12）、第八圓形開槽（13）、第九圓形開槽（14）、第十圓形開槽（15），第一圓形開槽（6）、第二圓形開槽（7）、第三圓形開槽（8）、第四圓形開槽（9）、第五半圓形開槽（10）、第六半圓形開槽（11）、第七圓形開槽（12）、第八圓形開槽（13）、第九圓形開槽（14）、第十圓形開槽（15）在條形二硫化鉬薄膜（4）中部自左向右順序排列，右端矩形二硫化鉬薄膜（3）的左端與條形二硫化鉬薄膜（4）的右端相連，條形二硫化鉬薄膜（4）的左端與左端矩形二硫化鉬薄膜（5）的右端相連，右端矩形二硫化鉬薄膜（3）的右端與二氧化硅層（2）的右端相連，左端矩形二硫化鉬薄膜（5）的左端與二氧化硅層（2）的左端相連，左端矩形二硫化鉬薄膜（5）的左端設有信號輸入端（16），右端矩形二硫化鉬薄膜（3）的右端設有信號輸出端（17），太赫茲信號從信號輸入端（16）輸入，從信號輸出端（17）輸出；二硫化鉬薄膜層與基底分別連接偏置直流電壓源的兩極，調節外加偏置直流電壓源的電壓會改變二硫化鉬薄膜的有效介電常數。

2.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的基底層（1）的材料為P型硅材料，長度為28~30μm，寬度為10~12μm，厚度為2~4μm。

3.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的二氧化硅層（2）的長度為28~30μm，寬度為10~12μm，厚度為2~4μm。

4.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的右端矩形二硫化鉬薄膜（3）和左端矩形二硫化鉬薄膜（5）的形狀大小相同，長度均為8~10μm，寬度為3~5μm。

5.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的條形二硫化鉬薄膜（4）的長度為22~28μm，寬度為4~6μm。

6.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的第一圓形開槽（6）與第十圓形開槽（15）的尺寸相同，半徑均為3~4μm。

7.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的第二圓形開槽（7）與第九圓形開槽（14）的尺寸相同，半徑均為2.5~3.5μm。

8.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的第三圓形開槽（8）與第八圓形開槽（13）的尺寸相同，半徑均為2~3μm。

9.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的第四圓形開槽（9）與第七圓形開槽（12）的尺寸相同，半徑均為1.5~2.5μm。

10.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜條帶結構可調太赫茲波濾波器，其特征在于所述的第五半圓形開槽（10）與第六半圓形開槽（11）的尺寸相同，半徑均為1~2μm。