[發明專利]動態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 201611204889.0
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN108242251B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

動態隨機存取存儲器，具有主存儲器胞陣列以及冗余元件單元。冗余元件單元包含多個熔絲與鎖存區域。多個熔絲被規劃成有第一熔絲部分與第二熔絲部分，其中所述第一熔絲部分用以存儲所述主存儲器胞陣列中之故障存儲器胞的地址信息以及所述第二熔絲部分當作多個電容器。鎖存區域包含多個鎖存器，用以存儲在所述第一熔絲部分中所存儲的所述故障存儲器胞的所述地址信息，其中所述第二熔絲部分的所述多個電容器分別耦接到所述多個鎖存器，以提供電容值給每一個所述鎖存器的輸出/輸入(I/O)端點。

技術領域

本發明涉及半導體技術。更明確地說，本發明涉及動態隨機存取存儲器。

背景技術

動態隨機存取存儲器是很普遍的存儲器，例如是在智慧型電子裝置上的應用，其有利于快速進行所要處理的動作。而由于例如智慧型電子裝置的功能愈來越強大，其所需要的動態隨機存取存儲器的容量就隨著增加，再加上尺寸縮小化的趨勢，存儲器胞的密度也因此增加。

在如此的要求下，對于動態隨機存取存儲器的制造，其難于達到存儲器胞陣列中的每一個存儲器胞都沒有損壞，也因此，動態隨機存取存儲器除了主存儲器胞陣列還會有冗余元件單元。動態隨機存取存儲器制造完成后需要對主存儲器胞陣列的每一個存儲器胞進行測試，其中損壞的存儲器胞會由冗余元件單元中的冗余存儲器胞來取代。

冗余元件單元包含多個冗余存儲器胞以及其它要取代損壞的存儲器胞的冗余電路等。冗余電路一般會包含鎖存元件，但是其鎖存的數據，也可能會有錯誤。

因此，如何能降低鎖存的數據，且不需要大幅度改變動態隨機存取存儲器的設計結構，是技術研發中所需要的考慮因素。

發明內容

本發明提供一種動態隨機存取存儲器，具有主存儲器胞陣列以及冗余元件單元。冗余元件單元包含多個熔絲與鎖存區域。多個熔絲被規劃成有第一熔絲部分與第二熔絲部分，其中所述第一熔絲部分用以存儲所述主存儲器胞陣列中之故障存儲器胞的地址信息以及所述第二熔絲部分當作多個電容器。鎖存區域包含多個鎖存器，用以存儲在所述第一熔絲部分中所存儲的所述故障存儲器胞的所述地址信息，其中所述第二熔絲部分的所述多個電容器分別耦接到所述多個鎖存器，以提供電容值給每一個所述鎖存器的輸出/輸入(I/O)端點。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述冗余元件單元提供附加的多個存儲器胞行與多個存儲器胞列給所述主存儲器胞陣列。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，其還包含解碼器與熔絲驅動器，其中所述熔絲驅動器用以將所述地址信息傳送給所述鎖存區域，以及所述解碼器用以啟動所述冗余元件單元中對應所述地址信息的冗余存儲器胞。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述第二熔絲部分的所述多個電容器的半導體結構，是分別重疊于所述熔絲驅動器的上方。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述熔絲驅動器是金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述多個熔絲被配置成多個熔絲單元，每一個所述熔絲單元包含多個所述熔絲，所述多個熔絲單元之間有分離距離，所述分離距離是二個或是三個所述熔絲的尺寸。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述多個電容器的每一個是耦接于所述多個鎖存器的對應一個的所述輸出/輸入端點。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述輸出/輸入端點在單端鎖存電路的結構上是連接到所述動態隨機存取存儲器的位線。

在一實施例，如所述的動態隨機存取存儲器，所述第二熔絲部分包含多個第一電容器與多個第二電容器，所述多個鎖存器的每一個是雙端鎖存電路的結構，其中所述多個第一電容器的每一個是分別連接到每一個所述鎖存器的第一輸出/輸入端點，所述多個第二電容器的每一個是分別連接到每一個所述鎖存器的第二輸出/輸入端點。