[發明專利]動態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 201611204889.0
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN108242251B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種動態隨機存取存儲器，包含:主存儲器胞陣列以及冗余元件單元，其中所述冗余元件單元包含:

多個熔絲，被規劃成有第一熔絲部分與第二熔絲部分，其中所述第一熔絲部分用以存儲所述主存儲器胞陣列中之故障存儲器胞的地址信息以及所述第二熔絲部分當作多個電容器；以及

鎖存區域，包含多個鎖存器，用以存儲在所述第一熔絲部分中所存儲的所述故障存儲器胞的所述地址信息，其中所述第二熔絲部分的所述多個電容器分別耦接到所述多個鎖存器，以提供電容值給每一個所述鎖存器的輸出/輸入(I/O)端點。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中所述冗余元件單元提供附加的多個行冗余存儲器胞與多個列冗余存儲器胞給所述主存儲器胞陣列。

3.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，還包含解碼器與熔絲驅動器，其中所述熔絲驅動器用以將所述地址信息傳送給所述鎖存區域，以及所述解碼器用以啟動所述冗余元件單元中對應所述地址信息的冗余存儲器胞。

4.如權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，其中所述第二熔絲部分的所述多個電容器的半導體結構，是分別重疊于所述熔絲驅動器的上方。

5.如權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，其中所述熔絲驅動器是金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)。

6.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中所述多個熔絲被配置成多個熔絲單元，每一個所述熔絲單元包含多個所述熔絲，所述多個熔絲單元之間有分離距離，所述分離距離是二個或是三個所述熔絲的尺寸。

7.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中所述多個電容器的每一個是耦接于所述多個鎖存器中對應一個所述鎖存器的所述輸出/輸入端點。

8.如權利要求7所述的動態隨機存取存儲器，其中所述多個鎖存器包括單端鎖存電路的結構，所述單端鎖存電路有單一個輸出/輸入端點向外連接。

9.如權利要求7所述的動態隨機存取存儲器，其中所述第二熔絲部分包含多個第一電容器與多個第二電容器，所述多個鎖存器的每一個是雙端鎖存電路的結構，其中所述多個第一電容器的每一個是分別連接到每一個所述鎖存器的第一輸出/輸入端點，所述多個第二電容器的每一個是分別連接到每一個所述鎖存器的第二輸出/輸入端點。

10.如權利要求9所述的動態隨機存取存儲器，其中所述第一輸出/輸入端點是連接到所述動態隨機存取存儲器的位線以及所述第二輸出/輸入端點是連接到所述動態隨機存取存儲器的反位線。

11.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中所述多個鎖存器是電流鏡類型的電路，高電阻類型的電路，或是薄膜晶體管類型的電路。