[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611204738.5
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106784014A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊維;寧策;胡合合;王珂
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/22;H01L29/24;H01L21/34
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 劉偉,張博

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

在平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本較低等優(yōu)點(diǎn)，逐漸在當(dāng)今平板顯示市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。

隨著TFT-LCD技術(shù)的發(fā)展，金屬氧化物薄膜晶體管(Oxide Thin Film Transistor，簡稱OTFT)技術(shù)也越來越成熟，它具有載流子遷移率高、功耗低、能應(yīng)用于低頻驅(qū)動等優(yōu)點(diǎn)，而且還能應(yīng)用在被稱為下一代顯示技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器上。

但是現(xiàn)有技術(shù)在制作金屬氧化物薄膜晶體管時，在利用金屬氧化物制作薄膜晶體管的有源層后，在有源層上沉積源漏金屬層，并對源漏金屬層進(jìn)行刻蝕形成源電極和漏電極。為了避免源漏金屬層的導(dǎo)電離子殘留在溝道區(qū)，在進(jìn)行源漏金屬層的刻蝕時會增加對源漏金屬層的刻蝕時間，但是在刻蝕時間增加后，源漏金屬層的刻蝕液又會損傷有源層的背溝道，使得金屬氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性受到影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、顯示裝置，能夠提高金屬氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

形成金屬氧化物半導(dǎo)體圖形，所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形包括層疊設(shè)置的第一金屬氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層位于所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的上方；

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層，其中，所述有源層為利用第一刻蝕液去除所述源電極和所述漏電極之間的所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層后得到，所述第一刻蝕液對所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的速率大于所述第一刻蝕液對所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的速率。

進(jìn)一步地，所述第一刻蝕液對所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的速率與所述第一刻蝕液對所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的速率的比值不小于10。

進(jìn)一步地，所述在所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層包括：

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形上方沉積源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管的源電極和漏電極所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)除薄膜晶體管的源電極和漏電極之外的其他區(qū)域；

利用第一刻蝕液對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，去除光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層、位于所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述漏電極之間的第二金屬氧化物半導(dǎo)體層、位于所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述源電極之間的第二金屬氧化物半導(dǎo)體層。

所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層采用ZnO、ZnON或IZO，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層采用IGZO，所述第一刻蝕液采用H₂O₂刻蝕液；或

所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層采用ZnO、ZnON、IZO或IGZO，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層采用ITZO、IGZTO或IGZXO，所述第一刻蝕液采用Al刻蝕液。

進(jìn)一步地，所述在所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層包括：

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體圖形上方沉積源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管的源電極和漏電極所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)除薄膜晶體管的源電極和漏電極之外的其他區(qū)域；

利用第二刻蝕液對所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，去除光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層，形成薄膜晶體管的源電極和漏電極；