[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201611204738.5
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106784014A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 楊維;寧策;胡合合;王珂
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/22;H01L29/24;H01L21/34
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 劉偉,張博

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

形成金屬氧化物半導體圖形，所述金屬氧化物半導體圖形包括層疊設置的第一金屬氧化物半導體層和第二金屬氧化物半導體層，所述第二金屬氧化物半導體層位于所述第一金屬氧化物半導體層的上方；

在所述金屬氧化物半導體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層，其中，所述有源層為利用第一刻蝕液去除所述源電極和所述漏電極之間的所述第二金屬氧化物半導體層后得到，所述第一刻蝕液對所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕的速率大于所述第一刻蝕液對所述第一金屬氧化物半導體層進行刻蝕的速率。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一刻蝕液對所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕的速率與所述第一刻蝕液對所述第一金屬氧化物半導體層進行刻蝕的速率的比值不小于10。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬氧化物半導體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層包括：

在所述金屬氧化物半導體圖形上方沉積源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域，其中，所述光刻膠保留區域對應薄膜晶體管的源電極和漏電極所在區域，光刻膠未保留區域對應除薄膜晶體管的源電極和漏電極之外的其他區域；

利用第一刻蝕液對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕，去除光刻膠未保留區域的源漏金屬層和第二金屬氧化物半導體層，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括所述第一金屬氧化物半導體層、位于所述第一金屬氧化物半導體層與所述漏電極之間的第二金屬氧化物半導體層、位于所述第一金屬氧化物半導體層與所述源電極之間的第二金屬氧化物半導體層。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述第二金屬氧化物半導體層采用ZnO、ZnON或IZO，所述第一金屬氧化物半導體層采用IGZO，所述第一刻蝕液采用H₂O₂刻蝕液；或

所述第二金屬氧化物半導體層采用ZnO、ZnON、IZO或IGZO，所述第一金屬氧化物半導體層采用ITZO、IGZTO或IGZXO，所述第一刻蝕液采用Al刻蝕液。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬氧化物半導體圖形上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層和所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕，形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和有源層包括：

在所述金屬氧化物半導體圖形上方沉積源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行曝光，形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域，其中，所述光刻膠保留區域對應薄膜晶體管的源電極和漏電極所在區域，光刻膠未保留區域對應除薄膜晶體管的源電極和漏電極之外的其他區域；

利用第二刻蝕液對所述源漏金屬層進行刻蝕，去除光刻膠未保留區域的源漏金屬層，形成薄膜晶體管的源電極和漏電極；

利用第一刻蝕液對所述源電極和所述漏電極之間的所述第二金屬氧化物半導體層進行刻蝕，去除所述源電極和所述漏電極之間的所述第二金屬氧化物半導體層，形成薄膜晶體管的有源層，所述有源層包括所述第一金屬氧化物半導體層、位于所述第一金屬氧化物半導體層與所述漏電極之間的第二金屬氧化物半導體層、位于所述第一金屬氧化物半導體層與所述源電極之間的第二金屬氧化物半導體層。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述第二金屬氧化物半導體層采用ZnO、ZnON或IZO，所述第一金屬氧化物半導體層采用IGZO，所述第一刻蝕液采用H₂O₂刻蝕液；或

所述第二金屬氧化物半導體層采用ZnO、ZnON、IZO或IGZO，所述第一金屬氧化物半導體層采用ITZO、IGZTO或IGZXO，所述第一刻蝕液采用Al刻蝕液；

所述源漏金屬層包括Cu時，所述第二刻蝕液為H₂O₂刻蝕液；或

所述源漏金屬層包括Mo或Al、AlNd時，所述第二刻蝕液為Mo刻蝕藥液。