[發明專利]一種低溫共燒器件及低介共燒陶瓷膜片的制作方法

有效

• 申請號: 201611204656.0
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106631045B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 鄭衛衛;吳震;陳柳城
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C03C10/00;H01F41/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 王震宇

一種低溫共燒器件及低介共燒陶瓷膜片的制作方法，低介共燒陶瓷膜片的制作方法包括以下步驟：1)準備相對介電常數不高于5.8的低介陶瓷材料；2)在所述低介陶瓷材料中混入具有預定范圍的高膨脹系數的低介介質；3)將混合粉進行預燒處理，得到低介共燒陶瓷材料，所述低介陶瓷材料的熱膨脹系數與鐵氧體材料、導電電極材料的差異處于預定范圍內；4)將預燒后的混合粉進行制漿涂布，形成低介共燒陶瓷膜片。該方法能夠提升不同材料間的共燒匹配性，大幅減少或防止共燒磁體缺陷，提升器件的可靠性能。

技術領域

本發明涉及電子元器件的制造，特別是涉及一種低溫共燒器件及低介共燒陶瓷膜片的制作方法。

背景技術

隨著人工智能技術的不斷發展，芯片需要處理的數據量越來越大，電路設計中要求線路對數據的傳輸速度越來越快，這樣對元器件的要求在相同電氣性能的同時，向著高頻化的方向發展。對于電感及濾波器件來說，傳統的單一材料設計很難同時滿足高頻高阻抗、低損耗的要求。因此需要在結構設計中引入不同介質材料來滿足電氣性能的要求。不同的介質材料由于組成成分上的差異導致其燒結過程中的物理特性存在較大的差異，在共燒時由于材料間的不匹配性很容易導致燒結后的磁體存在結構缺陷，影響期器件的可靠性。

發明內容

本發明的主要目的在于克服現有技術的不足，提供一種低溫共燒器件及低介共燒陶瓷膜片的制作方法，提升不同材料間的共燒匹配性，大幅減少或防止共燒磁體缺陷，提升器件的可靠性能。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種低介共燒陶瓷膜片的制作方法，包括以下步驟：

1)準備相對介電常數不高于5.8的低介陶瓷材料；

2)在所述低介陶瓷材料中混入具有預定范圍的高膨脹系數的低介介質；

3)將混合粉進行預燒處理，得到低介共燒陶瓷材料，所述低介陶瓷材料的熱膨脹系數與鐵氧體材料、導電電極材料的差異處于預定范圍內；

4)將預燒后的混合粉進行制漿涂布，形成低介共燒陶瓷膜片。

進一步地：

所述低介陶瓷材料為硼硅系的材料，其相對介電常數在4.5～5.8，優選小于5.5，熱膨脹系數在30～40*10^-7K^-1，且雜質離子濃度低于2％。

所述低介陶瓷材料為玻璃材料，其相對介電常數為4.8，熱膨脹系數為30*10^-7K^-1。

所述低介介質為α-石英和/或β-石英，其相對介電常數在4.0～4.3之間，材料熱膨脹系數在90*10^-7K^-1，材料純度≥90％。

所述低介介質在陶瓷材料中的加入量為10％～30％。

步驟3)包含以下子步驟：

a1將混合的粉加入球磨罐中進行預混；

a2將完成預混的粉進行預燒處理；

a3將完成預燒處理的粉再次放入球磨罐中進行磨細處理。

所述預混是在球磨機中進行濕混，其中在混合粉中加入質量百分比為200～300％的去離子水，在150～250r/min的轉速下進行球磨混合20～30h。

所述預燒處理包括將混合后的粉烘干去水后，置于高溫匣缽中，并在燒結爐中以500℃～700℃的溫度熱處理0.5～1h。

步驟4)包含以下子步驟：

b1.將所述混合粉與酯類溶液攪拌混合，并加入有機粘合劑和分散劑攪拌，形成陶瓷漿料；