[發(fā)明專利]一種低溫共燒器件及低介共燒陶瓷膜片的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611204656.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106631045B | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭衛(wèi)衛(wèi);吳震;陳柳城 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳順絡(luò)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/622 | 分類號(hào): | C04B35/622;C03C10/00;H01F41/00 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
| 地址: | 518110 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 器件 低介共燒 陶瓷 膜片 制作方法 | ||
1.一種低介共燒陶瓷膜片的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)準(zhǔn)備低介陶瓷材料,所述低介陶瓷材料為硼硅系的材料,其相對(duì)介電常數(shù)在4.5~5.5,熱膨脹系數(shù)在30~40*10-7K-1,且雜質(zhì)離子濃度低于2%;
2)在所述低介陶瓷材料中混入具有預(yù)定范圍的高膨脹系數(shù)的低介介質(zhì),所述低介介質(zhì)為α-石英和/或β-石英,其相對(duì)介電常數(shù)在4.0~4.3之間,材料熱膨脹系數(shù)在90*10-7K-1,材料純度≥90%,所述低介介質(zhì)在陶瓷材料中的加入量為10%~30%;
3)將混合粉進(jìn)行預(yù)燒處理,得到低介共燒陶瓷材料,所述低介陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)與鐵氧體材料、導(dǎo)電電極材料的差異處于預(yù)定范圍內(nèi);
步驟3)包含以下子步驟:
a1將混合的粉加入球磨罐中進(jìn)行預(yù)混;
a2將完成預(yù)混的粉進(jìn)行預(yù)燒處理;
a3將完成預(yù)燒處理的粉再次放入球磨罐中進(jìn)行磨細(xì)處理;所述預(yù)燒處理包括將混合后的粉烘干去水后,置于高溫匣缽中,并在燒結(jié)爐中以500℃~700℃的溫度熱處理0.5~1h;
4)將預(yù)燒后的混合粉進(jìn)行制漿涂布,形成低介共燒陶瓷膜片;
步驟4)包含以下子步驟:
b1.將所述混合粉與酯類溶液攪拌混合,并加入有機(jī)粘合劑和分散劑攪拌,形成陶瓷漿料;
b2.涂布所述陶瓷漿料以形成所述陶瓷膜片。
2.如權(quán)利要求1所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法,其特征在于,所述低介陶瓷材料為玻璃材料,其相對(duì)介電常數(shù)為4.8,熱膨脹系數(shù)為30*10-7K-1。
3.如權(quán)利要求1或2所述的低介共燒陶瓷膜片的制作方法,其特征在于,所述預(yù)混是在球磨機(jī)中進(jìn)行濕混,其中在混合粉中加入質(zhì)量百分比為200~300%的去離子水,在150~250r/min的轉(zhuǎn)速下進(jìn)行球磨混合20~30h。
4.一種低溫共燒器件的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:利用根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的制作方法得到的低介共燒陶瓷膜片制作帶電極的生坯,再對(duì)所述的生坯一次完成切割、排膠、燒結(jié),完成共燒器件的制作。
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