[發明專利]基板結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201611203493.4 | 申請日: | 2016-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN108242434B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 許凱翔 | 申請(專利權)人: | 恒勁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 唐軼 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板結 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種基板結構及其制造方法,基板結構包括:一金屬載板、一介電材與一圖案化導體層。金屬載板具有第一表面與相對于第一表面的一第二表面以及多個連通第一表面與第二表面的穿槽。介電材填滿穿槽并在金屬載板的第一表面上形成一增層部,增層部具有多個穿孔。上述的圖案化導體層位于增層部的表面且部分延伸至穿孔內,以形成線路布線。本發明也公開一種基板結構的制造方法。
技術領域
本發明涉及一種封裝結構,特別是指一種無引腳(QFN)封裝結構所使用的基板結構及其制造方法。
背景技術
隨著對生活便利性的需求,各種電子化產品爆炸性的急速擴張,而在電子產品組件工藝上占據舉足輕重地位的集成電路封裝技術也因應此需求所期盼的高速處理化、多功能化、積集化(Integrated)以及小型輕量化等多方面渴望,朝向微型化與高密度化發展。目前半導體封裝技術在中低腳數的封裝上,因無延伸至膠體外側的引腳形(QFN)封裝結構具有降低引腳感應系數(inductance)、小形腳位(footprint)、較薄的外形與較快的信號傳輸速度等多個優點,因此QFN封裝結構已成為封裝結構的主要形態。
但以QFN封裝結構而言,芯片座與環繞芯片座周圍的接觸端子(引腳接墊)是由片狀的導線架結構形成,其輸入/輸出端(I/O)數量較少,芯片間相同網絡的I/O導通需要額外以導線架或金屬線連接。因此,衍生出另一種四方扁平無引腳(a-QFN)結構,如圖1所示,此a-QFN結構10在制作上是先對金屬載板12的上表面進行第一次蝕刻,以形成多個凹槽14來界定出芯片座16與多個內引腳18。然后,進行芯片20的放置,以及芯片20與內引腳18間的金屬打線工藝。隨后,使用封裝膠體22將芯片20與金屬打線封裝,此時封裝膠體22將一并填入凹槽14內。然后,對金屬載板12的下表面進行第二次蝕刻,形成多個凹槽15,以界定出顯露于封裝膠體22外的外引腳24。但因為封裝膠體22與金屬載板12兩者間屬于異質材料,兩者間因排斥存在細小間隙。所以當施行第二次蝕刻工藝時,在形成凹槽15的過程中,蝕刻液可能會接觸到金屬載板12與填入凹槽14間的間隙(或連接處),導致間隙加大,使得引腳接墊或者說接觸端子26極易因為與封裝膠體22結合力不足,導致接觸端子26松脫甚至掉落。
因此,本發明針對這一缺點,提出一種嶄新的基板結構及其制造方法。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種基板結構及其制造方法,其接觸端子與介電材間具有較強的結合力,不易松脫掉落。
本發明的另一目的在于提供一種基板結構及其制造方法,其采用雙面同步蝕刻方式在金屬載板上形成具有雙弧線狀側壁的穿槽,在排除蝕刻液再次侵蝕的情況下,更利用雙弧線狀側壁,增加填設于穿槽內的介電材與金屬載板間的附著力。
本發明的另一目的在于提供一種基板結構及其制造方法,其可重分布線路,增加布線面積,進而使I/O間不需要進行外接導線架或金線即可直接互相連通,并且借由接觸端子達到雙面或3D側面導通的需求。
本發明的又一目的在于提供一種基板結構及其制造方法,其具有高散熱性、高剛性以及電磁屏蔽特性,并可直接利用金屬載板進行信號傳遞。
本發明的再一目的在于提供一種基板結構及其制造方法,其可根據產品電性需求進行如電阻、阻抗等的電路設計與控制。
為達上述目的,本發明提供一種基板結構,其主要包括:一金屬載板、一介電材與一圖案化導體層。金屬載板具有一第一表面與一相對于第一表面的第二表面以及多個連通第一表面與第二表面的穿槽,各穿槽的一側壁表面呈非線性狀。介電材填滿穿槽并在金屬載板的第一表面上形成一增層部,此增層部具有多個穿孔。圖案化導體層位于增層部的一表面上且部分延伸至穿孔內,以形成線路布線。
其中,該金屬載板的材質為一復合材料。
其中,部分該圖案化導體層上設置有至少一芯片。
其中,在該芯片與該介電材及該圖案化導體層之間具有一結合材。
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