[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611202448.7
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN107017165B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃詩涵;謝志宏
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8244;H01L27/11;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉

在制造SRAM的方法中，第一偽圖案形成在襯底上方，第一至第三掩模層形成在襯底上。中間偽圖案形成在第一偽圖案的側(cè)壁上。去除第一偽圖案，從而留下中間偽圖案。通過使用中間偽圖案來圖案化第三掩模層，由此圖案化第二掩模層，從而形成第二偽圖案。側(cè)壁間隔件層形成在第二偽圖案的側(cè)壁上。去除第二偽圖案，從而留下側(cè)壁間隔件層以作為襯底上方的硬掩模圖案，由此圖案化第一掩模層。通過使用圖案化的第一掩模層來圖案化襯底。多個SRAM單元的每一個都被單元邊界限定，在該單元邊界內(nèi)，僅包括兩個第一偽圖案。本發(fā)明的實施例還提供了一種靜態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及具有場效應(yīng)晶體管(FET) 器件的半導(dǎo)體SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)器件，以及其制造工藝。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工業(yè)在追求更高的器件密度、更高的性能、更低功耗和更低的成本的過程中進入納米技術(shù)工藝節(jié)點，來自制造和設(shè)計問題的挑戰(zhàn)已經(jīng)引起了諸如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維設(shè)計的發(fā)展。在FinFET 器件中，有可能使用附加的側(cè)壁并且用于抑制短溝道效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供了一種制造包括多個靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)單元的靜態(tài)隨機存取存儲器的方法，所述方法包括：在襯底上方形成第一偽圖案，第一掩模層、第二掩模層和第三掩模層順序形成在所述襯底上；在所述第一偽圖案的側(cè)壁上形成中間偽圖案，以填充所述第一偽圖案之間的間隔；去除所述第一偽圖案，從而留下位于所述襯底的第三掩模層上方的中間偽圖案；通過使用所述中間偽圖案來圖案化所述第三掩模層；通過使用圖案化的第三掩模層來圖案化所述第二掩模層，從而形成第二偽圖案；在所述第二偽圖案的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔件層；去除所述第二偽圖案，從而留下所述側(cè)壁間隔件層以作為所述襯底上方的硬掩模圖案；通過使用所述硬掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述第一掩模層；以及通過使用圖案化的第一掩模層作為蝕刻掩模來圖案化所述襯底，其中：所述多個靜態(tài)隨機存取存儲器單元的每一個都被單元邊界限定，并且在所述單元邊界內(nèi)，僅包括兩個第一偽圖案。

本發(fā)明的實施例還提供了一種制造包括多個靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)單元的靜態(tài)隨機存取存儲器的方法，其中：所述多個靜態(tài)隨機存取存儲器單元的每一個都被單元邊界限定，所述單元邊界具有在第一方向上延伸的底側(cè)、在所述第一方向上延伸并且與所述底側(cè)相對的頂側(cè)、在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的左側(cè)以及在所述第二方向上延伸并且與所述左側(cè)相對的右側(cè)，所述多個靜態(tài)隨機存取存儲器單元的每一個都包括：第一鰭結(jié)構(gòu)，在所述第二方向上從第一側(cè)延伸至第二側(cè)；第二鰭結(jié)構(gòu)，在所述第二方向上從所述第一側(cè)向所述第二側(cè)延伸，所述第二鰭結(jié)構(gòu)在所述第二方向上比所述第一鰭結(jié)構(gòu)短；第三鰭結(jié)構(gòu)，在所述第二方向上從所述第二側(cè)向所述第一側(cè)延伸，所述第三鰭結(jié)構(gòu)在所述第二方向上比所述第一鰭結(jié)構(gòu)短；以及第四鰭結(jié)構(gòu)，在所述第二方向上從所述第一側(cè)延伸至所述第二側(cè)，所述方法包括通過使用形成在襯底上的硬掩模來圖案化所述襯底，其中，通過使用第一硬掩模圖案來圖案化所述襯底，從而形成所述第一鰭結(jié)構(gòu)至所述第四鰭結(jié)構(gòu)，通過如下操作形成所述第一硬掩模圖案：在所述襯底上形成第一偽圖案；在所述第一偽圖案上方形成第一材料的毯式層；蝕刻所述第一材料的毯式層，從而在所述第一偽圖案的側(cè)壁上形成第一掩模圖案；和去除所述第一偽圖案，從而留下所述第一硬掩模圖案，通過如下操作形成所述第一偽圖案：在所述襯底上形成第二偽圖案，第一掩模層、第二掩模層和第三掩模層順序形成在所述襯底上；在所述第二偽圖案上方形成第二材料的毯式層；蝕刻所述第二材料的毯式層，從而在所述第二偽圖案的側(cè)壁上和所述第二偽圖案之間形成中間偽圖案；去除所述第二偽圖案，從而留下所述中間偽圖案；通過使用所述中間偽圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述第三掩模層；和通過使用圖案化的第三掩模層作為蝕刻掩模來圖案化所述第二掩模層，從而形成所述第一偽圖案，以及在一個隨機存取存儲器單元的單元邊界內(nèi)，僅包括兩個第二偽圖案。