[發明專利]靜態隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201611202448.7
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN107017165B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 黃詩涵;謝志宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8244;H01L27/11;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產權代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造包括多個靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元的靜態隨機存取存儲器的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成第一偽圖案，第一掩模層、第二掩模層和第三掩模層順序形成在所述襯底上；

在所述第一偽圖案的側壁上形成中間偽圖案，以填充所述第一偽圖案之間的間隔；

去除所述第一偽圖案，從而留下位于所述襯底的第三掩模層上方的中間偽圖案；

通過使用所述中間偽圖案來圖案化所述第三掩模層；

通過使用圖案化的第三掩模層來圖案化所述第二掩模層，從而形成第二偽圖案；

在所述第二偽圖案的側壁上形成側壁間隔件層；

去除所述第二偽圖案，從而留下所述側壁間隔件層以作為所述襯底上方的硬掩模圖案；

通過使用所述硬掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述第一掩模層；以及

通過使用圖案化的第一掩模層作為蝕刻掩模來圖案化所述襯底，其中：

在平面圖中，所述多個靜態隨機存取存儲器單元的每一個都被單元邊界限定，并且

在平面圖中，在所述多個靜態隨機存取存儲器單元的每一個的所述單元邊界內，僅包括兩個第一偽圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述兩個第一偽圖案具有彼此相同的尺寸。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述單元邊界內以均勻的間距布置所述硬掩模圖案。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一偽圖案由多晶硅制成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模層包括氮化硅和設置在所述氮化硅上的氧化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二偽圖案由氮化硅基材料制成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述側壁間隔件層由氧化硅基材料制成。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第二偽圖案包括：

在所述第一偽圖案上方形成用于所述第二偽圖案的毯式層；以及

去除設置在所述第一偽圖案的上表面上方的毯式層的一部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成所述側壁間隔件層包括：

在所述第二偽圖案上方形成用于所述側壁間隔件層的毯式層；以及

在所述毯式層上執行各向異性蝕刻，從而在所述第二偽圖案的側壁上留下所述側壁間隔件層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括，在所述去除所述第二偽圖案之后并且在圖案化所述襯底之前，去除所述側壁間隔件層的額外的部分。