[發(fā)明專利]半導體器件及非易失性存儲器陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611202283.3
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN107026173B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 盧皓彥;陳世憲;柯鈞耀;徐英杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11568;H01L27/1157
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明的實施例提供一種半導體器件。半導體器件包含第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)、第一多晶硅區(qū)、第二多晶硅區(qū)、第三多晶硅區(qū)、第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)互相分離且平行。第一多晶硅區(qū)布置在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)上方。第二多晶硅區(qū)布置在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)上方。第三多晶硅區(qū)布置在第二有源區(qū)和第三有源區(qū)上方。第一摻雜區(qū)在第二有源區(qū)內且在第一多晶硅區(qū)和第二多晶硅區(qū)之間。第二摻雜區(qū)在第二有源區(qū)內且在第二多晶硅區(qū)和第三多晶硅區(qū)之間。本發(fā)明的實施例還提供了一種非易失性存儲器陣列。

技術領域

本發(fā)明的實施例涉及半導體領域，更具體地涉及半導體器件及非易失性存儲器陣列。

背景技術

諸如閃速存儲器和電可擦除可編程序只讀存儲器(EEPROM)的非易失性存儲器(NVM)器件已為本技術領域所熟知。當系統(tǒng)或器件關閉時，NVM器件不會丟失其數據。由于對諸如便攜式電話的小型便攜式電子器件的需求增長，所以對嵌入式存儲器的需求很大。由于其高速和廣泛的總線寬度能力，高性能的嵌入式存儲器是VLSI和ULSI中的重要組件，其能消除芯片間通信。因此，希望開發(fā)一種完全兼容件CMOS邏輯工藝并且具有低功耗、改良的寫入效率、低成本和高封裝密度的NVM器件。

發(fā)明內容

本發(fā)明的實施例提供了一種半導體器件，包括：第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)，彼此分離并且彼此平行布置；第一多晶硅區(qū)，布置在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)上方；第二多晶硅區(qū)，布置在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)上方；第三多晶硅區(qū)，布置在所述第二有源區(qū)和所述第三有源區(qū)上方；第一摻雜區(qū)，位于所述第二有源區(qū)內并且介于所述第一多晶硅區(qū)和所述第二多晶硅區(qū)之間；以及第二摻雜區(qū)，位于所述第二有源區(qū)內并且介于所述第二多晶硅區(qū)和所述第三多晶硅區(qū)之間。

本發(fā)明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：第一阱區(qū)；第二阱區(qū)，與所述第一阱區(qū)平行延伸；第三阱區(qū)，與所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)平行延伸；第一柵極區(qū)，設置在所述第一阱區(qū)上方；第二柵極區(qū)，設置在所述第二阱區(qū)上方并且連接所述第一柵極區(qū)；第三柵極區(qū)，設置在所述第三阱區(qū)上方；第四柵極區(qū)，設置在所述第二阱區(qū)上方并且連接所述第三柵極區(qū)；以及第一漏極區(qū)，位于所述第二阱區(qū)內并且介于所述第二柵極區(qū)和所述第四柵極區(qū)之間。

本發(fā)明的實施例還提供了一種非易失性存儲器陣列，包括：第一對存儲器單元；和第二對存儲器單元，與所述第一對存儲單元相鄰，其中，所述第一對存儲器單元和所述第二對存儲器單元連接至同一位線；以及所述第一對存儲器單元和所述第二對存儲器單元連接至不同字線。

附圖說明

本發(fā)明的一個或多個實施例的細節(jié)將在下列附圖和說明中給出。通過說明、附圖和權利要求書，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)勢將顯而易見。

圖1A是根據一些實施例的非易失性存儲器陣列的頂視圖。

圖1B至圖1D是根據一些實施例的圖1A中的非易失性存儲器陣列的截面圖。

圖2是根據一些實施例的非易失性存儲器陣列的示意圖。

各圖中的相同參考符號均指示相同元件。

具體實施方式

現在使用具體語言描述附圖中所示的本發(fā)明的實施例或實例。然而，應該理解，本發(fā)明的范圍不會因而受到限制。示出實施例中的任何改變和修改以及本文中描述的原則的任何進一步的應用都可被考慮，這對于本發(fā)明所涉及的技術領域內普通技術人員而言是常規(guī)的。在所有實施例中可重復使用參考數字，但沒有必要要求一個實施例的功能件應用到另一個實施例上，即使它們共用相同的參考數字。

圖1A示出了根據本發(fā)明的一些實施例的非易失性存儲器陣列1的頂視圖。參考圖1A，非易失性存儲器陣列1包括多個位單元A、B、C和通過隔離區(qū)(未編號)彼此分離的有源區(qū)10至13。為了方便和簡潔，僅在圖1A中示出了非易失性存儲器陣列1的一部分。