[發明專利]半導體器件及非易失性存儲器陣列

有效

• 申請號: 201611202283.3
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN107026173B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 盧皓彥;陳世憲;柯鈞耀;徐英杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11568;H01L27/1157
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

依次相鄰的第一有源區、第二有源區和第三有源區，彼此分離并且彼此平行布置；

第一多晶硅區，布置在所述第一有源區和所述第二有源區上方；

第二多晶硅區，布置在所述第一有源區和所述第二有源區上方；

第三多晶硅區，布置在所述第二有源區和所述第三有源區上方并且與所述第一多晶硅區和所述第二多晶硅區在不同對有源區上方延伸；

用作源極區的摻雜區，位于所述第二有源區內并且介于所述第一多晶硅區和所述第二多晶硅區之間并且由所述第一多晶硅區和所述第二多晶硅區共用；以及

用作漏極區的摻雜區，位于所述第二有源區內并且介于所述第二多晶硅區和所述第三多晶硅區之間并且由所述第二多晶硅區和所述第三多晶硅區共用。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括多個有源區和多個多晶硅區，其中，用作源極區的摻雜區位于每一個多晶硅區和與所述每一個多晶硅區相鄰的多晶硅區之間，所述每一個多晶硅區和與所述每一個多晶硅區相鄰的多晶硅區在同一對有源區上方延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括多個有源區和多個多晶硅區，其中，用作漏極區的摻雜區位于每一個多晶硅區和與所述每一個多晶硅區相鄰的多晶硅區之間，所述每一個多晶硅區和與所述每一個多晶硅區相鄰的多晶硅區在不同對有源區上方延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三多晶硅區和所述第三有源區之間的重疊區域與所述第三多晶硅區和所述第二有源區之間的重疊區域的比率大于一。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一多晶硅區和所述第一有源區之間的重疊區域與所述第一多晶硅區和所述第二有源區之間的重疊區域的比率大于一。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二多晶硅區和所述第一有源區之間的重疊區域與所述第二多晶硅區和所述第二有源區之間的重疊區域的比率大于一。

7.根據權利要求1所述半導體器件，其中，所述第二有源區連續延伸至所述第一多晶硅區、所述第二多晶硅區和所述第三多晶硅區下方。

8.一種半導體器件，包括：

第一阱區；

第二阱區，與所述第一阱區平行延伸；

第三阱區，與所述第一阱區和所述第二阱區平行延伸，其中，所述第一阱區、所述第二阱區和所述第三阱區依次相鄰；

第一柵極區，設置在所述第一阱區上方；

第二柵極區，設置在所述第二阱區上方并且連接所述第一柵極區；

第三柵極區，設置在所述第三阱區上方；

第四柵極區，設置在所述第二阱區上方并且連接所述第三柵極區；以及

第一漏極區，位于所述第二阱區內并且介于所述第二柵極區和所述第四柵極區之間，并且由所述第二柵極區和所述第四柵極區共用，

其中，所述第一柵極區和所述第二柵極區與所述第三柵極區和所述第四柵極區在不同對阱區上方延伸。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：

第五柵極區，設置在所述第二阱區上方；

第六柵極區，設置在所述第一阱區上方并且連接所述第五柵極區；以及

第一源極區，位于所述第二阱區內并且介于所述第五柵極區和所述第二柵極區之間。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括位于所述第二阱區內并且與所述第一漏極區相鄰的第一輕摻雜區，其中，所述第一輕摻雜區的濃度低于所述第一漏極區的濃度。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括位于所述第二阱區內并且與所述第一源極區相鄰的第二輕摻雜區，其中，所述第二輕摻雜區的濃度低于所述第一源極區的濃度。