[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611201951.0
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN106601289B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藪內(nèi)誠
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽帆

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。提供了例如用于在寫操作中控制與要寫的SRAM存儲單元耦接的存儲單元電源線的電壓電平的寫輔助電路。寫輔助電路響應(yīng)于在寫操作中使能的寫輔助使能信號將存儲單元電源線的電壓電平降低到預(yù)定的電壓電平。同時，寫輔助電路根據(jù)寫輔助脈沖信號的脈沖寬度來控制存儲單元電源線的電壓電平的降低速度。寫輔助脈沖信號的脈沖寬度被定義為使得行的數(shù)量越大(或存儲單元電源線的長度越長)，則脈沖寬度越大。

本分案申請是基于申請?zhí)枮?01210336291.2，申請日為2012年9月12日，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體裝置”的中國專利申請的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

將2011年9月22日提交的日本專利申請No.2011-207674的公開內(nèi)容(包括說明書、附圖以及摘要)通過參考全部并入在本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，并且更特別地涉及在包括存儲部件(諸如SRAM)的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用中有效的技術(shù)。

背景技術(shù)

例如，日本的未經(jīng)審查的專利公開No.2007-4960公開了用于在數(shù)據(jù)被寫入SRAM中時降低單元電源線的電壓電平的配置。日本的未經(jīng)審查的專利公開No.2009-252256公開了用于降低在SRAM中的所選的字線的電壓電平的配置。日本的未經(jīng)審查的專利公開No.2008-210443公開了用于在字線的上升時將存儲部件的電源電壓電平供應(yīng)給字線驅(qū)動器的電源節(jié)點并且在字線的上升之后將比存儲部件的電源電壓電平低的電壓電平供應(yīng)給字線驅(qū)動器的電源節(jié)點的配置。

發(fā)明內(nèi)容

例如，隨著包括靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(SRAM)存儲器模塊或者其它介質(zhì)的半導(dǎo)體裝置的小型化，從可靠性、功率消耗等的觀點來看，一般執(zhí)行電壓按比例縮小(scaling)。然而，在半導(dǎo)體裝置變小時，存在作為增大的生產(chǎn)波動或其它因素的結(jié)果而減小SRAM存儲單元的操作裕度(margin)的問題。因此，必須執(zhí)行各種手段以便在低電壓處維持恒定的操作裕度。

圖24A和圖24B示出作為本發(fā)明的前提的半導(dǎo)體裝置，在其中圖24A是半導(dǎo)體裝置的靜態(tài)存儲器模塊的主要部分的操作示例和配置的示意圖，并且圖24B是與圖24A中示出的示例不同的操作示例和配置的示意圖。圖24A和圖24B中示出的靜態(tài)存儲器模塊包括存儲器陣列MARY、字驅(qū)動器塊WLD以及寫輔助電路WAST'。在MARY中，設(shè)置有由WLD驅(qū)動并且在X軸方向上延伸的字線WL、由WL選擇的存儲單元(SRAM存儲單元)MC以及由WAST'驅(qū)動的存儲單元電源線。存儲單元電源線在Y軸方向上延伸并且將存儲單元電源電壓ARVDD供應(yīng)給特定的MC。WAST'具有用于在寫操作中降低所選的存儲單元MC的ARVDD持續(xù)預(yù)定時間的功能。以這種方式，信息保持能力(鎖存能力)被降低，即，靜態(tài)噪聲裕度(SNM)被降低。結(jié)果，特定的MC可以被容易地重寫(寫裕度增大)。

這里，圖24A中示出的MARY具有在橫向上較長的形狀，在其中Y軸方向(存儲單元電源線(ARVDD)的延伸方向或未示出的位線的延伸方向)為縱向方向，并且X軸方向(WL的延伸方向)為橫向方向。圖24B中示出的MARY具有在縱向上較長的形狀，不同于圖24A的情況。例如，假設(shè)WAST'被設(shè)計成關(guān)于圖24A中示出的MARY在最佳條件處降低ARVDD的電壓電平。在該情況下，在特定的WAST'被應(yīng)用于圖24B中示出的MARY時，MARY的存儲單元電源線(ARVDD)的負(fù)載在圖24B中比在圖24A中大。因此，ARVDD的電壓電平到達(dá)期望的電平會花費時間。在這個時候，所選的MC具有相對高的信息保持能力(鎖存能力)，即，大的SNM。結(jié)果，特定的MC可能不被容易地寫。換句話說，可能降低寫裕度。