[發明專利]黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201611200752.8 | 申請日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN106637104B | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 魏強;張立憲;梁硯琴;王紹丹;盧紅 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 天津才智專利商標代理有限公司 12108 | 代理人: | 王顕 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靶材 黑色二氧化鈦 復合薄膜 輻照 真空環境 制備 納米二氧化鈦顆粒 等離子體 分子篩 納米二氧化鈦 分子篩粉末 可見光響應 入射激光束 薄膜制備 基片表面 激光電壓 激光激發 激光聚焦 濺射沉積 開啟脈沖 球體堆積 有效負載 激光器 嵌入式 沉積 非晶 基底 壓片 薄膜 應用 | ||
1.一種黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)將粉末狀的二氧化鈦和分子篩混合均勻,得到混合粉末;其中分子篩中的硅原子與二氧化鈦中的鈦原子的摩爾比為2~4:1;
2)將步驟1)得到的混合粉末在壓強為140~200MPa的條件下壓片,得到靶材;
3)將所述靶材在真空環境下,利用脈沖激光濺射沉積技術制備黑色二氧化鈦復合薄膜,步驟如下:
①調節入射激光束與靶材之間的角度以及基片基底與靶材的距離,確保激光激發所述靶材產生的等離子體能濺射沉積到基片上;
②開啟脈沖激光器調節激光參數,使激光聚焦輻照真空環境中的靶材;
③輻照后,基片表面均勻沉積一層所述黑色二氧化鈦復合薄膜。
2.根據權利要求1所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:所述分子篩為硅鋁成分為主的分子篩。
3.根據權利要求2所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:所述分子篩為3A分子篩、5A分子篩、13X分子篩或10X分子篩。
4.根據權利要求1所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:步驟3)中所述真空環境的真空度為1×10-6~1×10-4Pa。
5.根據權利要求1所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:步驟①中,所述入射激光束與靶材之間的夾角為10~45°;基片基底與靶材之間的距離為5~25mm。
6.根據權利要求1所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:步驟②中所述激光參數指:激光脈寬為10ns-50ps,激光能量為450-1500mJ,激光波長為532-1064nm,頻率為5~20Hz。
7.根據權利要求1所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:激光輻照靶材每點處理時間為30~120s。
8.根據權利要求5所述黑色二氧化鈦復合薄膜的制備方法,其特征在于:所述入射激光束與靶材之間的夾角為15~30°。
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