[發(fā)明專利]一種耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611199601.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106588085B | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王志江;茍永杰;吳麗娜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B38/02 | 分類號(hào): | C04B38/02;C04B35/573 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 侯靜 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 耐高溫 結(jié)構(gòu) sic 多孔 陶瓷 制備 方法 | ||
一種耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的制備方法,它屬于吸波、環(huán)保、催化、生物傳感、半導(dǎo)體材料、能源和核防護(hù)材料制備領(lǐng)域,具體涉及一種SiC多孔陶瓷的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有制備SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔徑分布和大小難以調(diào)控、比表面積較小、高孔隙率陶瓷的力學(xué)強(qiáng)度低的問(wèn)題。制備方法:一、揉制面團(tuán);二、發(fā)酵與凍干得到多孔面團(tuán);三、炭化得到碳多孔骨架;四、燒結(jié)得到耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷。本發(fā)明主要用于制備耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于吸波、環(huán)保、催化、生物傳感、半導(dǎo)體材料、能源和核防護(hù)材料制備領(lǐng)域,具體涉及一種SiC多孔陶瓷的制備方法。
背景技術(shù)
多孔陶瓷具有很有獨(dú)特的性能,例如:重量輕、比表面積大、耐高溫以及化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等,已經(jīng)廣泛應(yīng)用在催化劑載體、高溫過(guò)濾器、吸波、吸聲和生物陶瓷等方面。其中,SiC多孔陶瓷除了具備密度小、孔隙率高、比表面積大的特點(diǎn)外,更具有熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小和抗熱沖擊強(qiáng)等SiC自身的特性。因此,SiC多孔陶瓷應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。由SiC多孔陶瓷制成的軸承、噴咀、發(fā)動(dòng)機(jī)部件、燃?xì)鈾C(jī)葉片和耐火材料等在航空航天、化工、汽車、冶金和機(jī)械等多個(gè)行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。
新世紀(jì)以來(lái),航空航天飛行器的發(fā)展快速推進(jìn),尤其是隨著宇航技術(shù)的發(fā)展,許多空天飛行器已經(jīng)在美國(guó)開發(fā)并民用化。空天飛行器要求輕量化,并且能在復(fù)雜的太空環(huán)境下生存,因此空天飛行器用材料應(yīng)具備抗太空各種輻射,并且基于輕量化考慮,空天飛行器材料還應(yīng)該結(jié)構(gòu)功能一體化,在具有功能性的前提下,還具有結(jié)構(gòu)承載能力。鑒于SiC優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),在航空航天中的使用需求越來(lái)越廣泛和迫切。
現(xiàn)階段,SiC多孔陶瓷的制備方法有很多,例如有機(jī)泡沫浸漬法、發(fā)泡法、添加造孔劑法和粒子燒結(jié)法等等。但這些制備SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔徑分布和大小難以調(diào)控、比表面積較小、高孔隙率陶瓷的力學(xué)強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有制備SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔徑分布和大小難以調(diào)控、比表面積較小、高孔隙率陶瓷的力學(xué)強(qiáng)度低的問(wèn)題,而提供一種耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的制備方法。
一種耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的制備方法,具體是按以下步驟完成的:
一、揉制面團(tuán):利用去離子水將面粉和酵母混合均勻,并揉制成面團(tuán);
二、發(fā)酵與凍干:將面團(tuán)先恒溫發(fā)酵,然后冷凍干燥,得到多孔面團(tuán);
三、炭化:將多孔面團(tuán)進(jìn)行炭化處理,得到碳多孔骨架;
四、燒結(jié):將碳多孔骨架放置在反應(yīng)硅源上,然后燒結(jié),再冷卻至室溫,即得到耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn):一、本發(fā)明開發(fā)了一種簡(jiǎn)便、易于放大的制備耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷,該SiC多孔陶瓷實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)功能一體化,本發(fā)明以面粉為原材料和酵母為發(fā)泡劑,先制備成多孔碳材料,然后在硅粉存在的環(huán)境下進(jìn)行高溫?zé)Y(jié),最終形成SiC多孔陶瓷,制備的多孔材料孔徑可調(diào)、耐高溫、力學(xué)承載性優(yōu)異;二、通過(guò)改變酵母的用量來(lái)調(diào)節(jié)SiC多孔陶瓷中的孔徑大小和分布情況;三、面粉中不加硅粉作為內(nèi)部硅源時(shí),可以得到由外到內(nèi)SiC含量逐漸遞減即SiC呈梯度分布的多孔陶瓷;面粉中加入硅粉作為內(nèi)部硅源時(shí),可以得到SiC分布均勻的多孔陶瓷;四、高溫?zé)Y(jié)時(shí),通過(guò)改變外部硅源的量,可以調(diào)節(jié)SiC多孔陶瓷中SiC所占百分含量。
附圖說(shuō)
圖1為實(shí)施例1制備的耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
圖2為實(shí)施例1制備的耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的XRD圖;
圖3為實(shí)施例2制備的耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
圖4為實(shí)施例3制備的耐高溫結(jié)構(gòu)型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
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