[發(fā)明專利]改善晶片表面平坦均勻性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611197856.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN108231599B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林仁杰;林文欽;李昱廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種改善晶片表面平坦均勻性的方法。首先提供一晶片，其上具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域。第一區(qū)域與第二區(qū)域具有不同的圖案密度。再于晶片上形成一導(dǎo)電層，然后于導(dǎo)電層上形成一緩沖層。接著，對(duì)緩沖層進(jìn)行一研磨制作工藝，直到顯露出導(dǎo)電層。再進(jìn)行一蝕刻制作工藝，蝕刻掉部分的導(dǎo)電層與剩余的緩沖層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)，特別是涉及一種改善晶片表面平坦均勻性的方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)不斷地改進(jìn)，半導(dǎo)體芯片具有更小且更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。由于產(chǎn)品創(chuàng)新的要求，每個(gè)芯片區(qū)域中的功能器件的數(shù)量和密度不斷增加。

半導(dǎo)體芯片中包括許多的半導(dǎo)體電子元件，例如，晶體管，通過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)進(jìn)行互連，構(gòu)成完整的功能電路。

由于晶片表面上有許多不同的結(jié)構(gòu)圖案，圖案密度的差異使得沉積于晶片表面上的材料層產(chǎn)生表面平坦均勻性不佳的問題，進(jìn)而影響到元件的電性表現(xiàn)。因此，該技術(shù)領(lǐng)域仍需要一種改良的方法，可以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種改善晶片表面平坦均勻性的方法，以解決先前技術(shù)的不足與缺點(diǎn)。

本發(fā)明公開一種改善晶片表面平坦均勻性的方法。首先提供一晶片，其上具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域。第一區(qū)域與第二區(qū)域具有不同的圖案密度。再于晶片上形成一導(dǎo)電層，例如鎢，然后于導(dǎo)電層上形成一緩沖層，例如氮化鈦。接著，對(duì)緩沖層進(jìn)行一研磨制作工藝，直到顯露出導(dǎo)電層。再進(jìn)行一蝕刻制作工藝，蝕刻掉部分的導(dǎo)電層與剩余的緩沖層。接著，圖案化導(dǎo)電層，在第一區(qū)域形成多個(gè)接觸墊圖案。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述蝕刻制作工藝對(duì)導(dǎo)電層與剩余的緩沖層有相同的蝕刻速率。

附圖說明

圖1至圖5為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種改善晶片表面平坦均勻性的方法。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

10 半導(dǎo)體晶片

101 第一區(qū)域

102 第二區(qū)域

110 間隙

112 間隙

120 導(dǎo)電層

120a 第一導(dǎo)電層

120b 第二導(dǎo)電層

121 凹陷結(jié)構(gòu)

122 凹陷結(jié)構(gòu)

130 緩沖層

130a 剩下的緩沖層

130b 剩下的緩沖層

220 接觸墊圖案

230 線路圖案

具體實(shí)施方式

在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，所參考的附圖也構(gòu)成說明書的一部分，其例示出可具體實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。這些實(shí)施例已描述足夠的細(xì)節(jié)以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。其它實(shí)施例可以被利用，并且可以做出結(jié)構(gòu)，邏輯和電性上的變化而不脫離本發(fā)明的范圍。下面的詳細(xì)說明，因此，不被視為具有限制意義，并且本發(fā)明的范圍是由所附權(quán)利要求而定。

在進(jìn)一步的描述優(yōu)選實(shí)施例之前，以下先針對(duì)全文中使用的特定用語進(jìn)行說明。