[發明專利]改善晶片表面平坦均勻性的方法有效
| 申請號： | 201611197856.8 | 申請日： | 2016-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN108231599B | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 林仁杰;林文欽;李昱廷 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 晶片 表面 平坦 均勻 方法 | ||
1.一種改善晶片表面平坦均勻性的方法，包含有：
提供一晶片，其上具有第一區域及第二區域，其中該第一區域與該第二區域具有不同的圖案密度；
在該晶片上形成一導電層，該導電層包括低于該導電層的上表面的凹陷結構，形成該導電層的步驟包含：在該晶片上沉積一第一導電層；以及在該第一導電層上沉積一第二導電層，其中該第二導電層的阻值小于該第一導電層的阻值；
在該導電層上形成一單層的緩沖層，該緩沖層填充該凹陷結構的部分的表面高于該導電層的該上表面；
以該導電層為研磨停止層對該緩沖層進行一次研磨制作工藝，直到顯露出該導電層；以及
進行一蝕刻制作工藝，蝕刻掉部分的該導電層與剩余的該緩沖層。
2.如權利要求1所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中該緩沖層包含氮化鈦。
3.如權利要求2所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中該導電層包含鎢。
4.如權利要求3所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中該蝕刻制作工藝對該導電層與該剩余的該緩沖層有相同的蝕刻速率。
5.如權利要求1所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中該研磨制作工藝為一化學機械研磨制作工藝。
6.如權利要求1所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中該第一導電層為化學氣相沉積鎢金屬層，該第二導電層為物理氣相沉積鎢金屬層。
7.如權利要求1所述的改善晶片表面平坦均勻性的方法，其中在進行該蝕刻制作工藝之后，另包含：
圖案化該導電層，在該第一區域形成多個接觸墊圖案。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
