[發明專利]可撓式顯示面板的制造方法有效
| 申請號: | 201611197714.1 | 申請日: | 2016-12-22 | 
| 公開(公告)號: | CN108231675B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 | 
| 發明(設計)人: | 程惟嵩;李懿庭 | 申請(專利權)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67 | 
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 | 
| 地址: | 210038 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可撓式 顯示 面板 制造 方法 | ||
本發明公開了一種可撓式顯示面板的制造方法,首先,提供一載板。然后,在載板上形成一導電層、一絕緣層以及一離型層,并依序堆疊于載板上。接著,在離型層上形成一可撓式薄膜基板,且在可撓式薄膜基板上制作電子組件,并且,在可撓式薄膜基板上設置一保護結構,用以封裝該些電子組件,以形成封裝后的可撓式顯示面板。隨后,對導電層通電以加熱導電層,并將可撓式顯示面板從載板分離。據此,可改善可撓式顯示面板與載板的分離難易度,提高剝離工藝的合格率,進而提高可撓式顯示面板的可靠性。
技術領域
本發明涉及一種可撓式顯示面板的制造方法,特別是涉及一種可以改善可撓式顯示面板與載板的分離難度的可撓式顯示面板的制造方法。
背景技術
在現今顯示技術中,可撓式顯示面板由于具有高輕巧性、耐沖擊性、可撓曲性、可穿戴性與易攜帶性等優異特性,目前已儼然成為新一代前瞻顯示技術。
由于可撓式薄膜基板的剛性不足,因此已知可撓式顯示面板的制造方法是先在可撓式薄膜基板與載板之間設置一整面具有一致黏著力的離型層,以將可撓式薄膜基板固定在剛性較優的載板上,等制作好電子組件后,再通過剝離工藝使可撓式顯示面板與載板分離。然而,為了穩固地將可撓式薄膜基板固定在承載基板上,離型層必須具備一定的黏著力,但此黏著力在進行剝離工藝時會導致可撓式顯示面板不易被取下,甚至造成可撓式顯示面板受損,使得剝離工藝的合格率偏低,進而造成可撓式顯示面板的可靠性不佳而成為可撓式顯示面板在量產時的主要問題之一。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種可撓式顯示面板的制造方法,以改善可撓式顯示面板與載板的分離難度,進而提高可撓式顯示面板的可靠性。
為解決上述技術問題,本發明提供了一種可撓式顯示面板的制造方法,首先,提供一載板。然后,在載板上形成一導電層,在導電層上形成一絕緣層,再在絕緣層上形成一離型層。接著,在離型層上形成一可撓式薄膜基板,且在可撓式薄膜基板上制作電子組件,并且,在可撓式薄膜基板上設置一保護結構,用以封裝電子組件,將可撓式薄膜基板、電子組件、保護結構組合成可撓式顯示面板。隨后,對導電層通電以加熱導電層,并將可撓式顯示面板從載板分離,或者可連同包含離型層的可撓式顯示面板從載板一并分離。
為更進一步解決上述技術問題,本發明還可選擇性地采用以下的技術內容。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,當導電層加熱至不小于攝氏60度時,將可撓式顯示面板從載板分離。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,導電層為一整面的導電層或一圖案化的導電層。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,保護結構為一保護膜層或一保護基板。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,導電層包含金屬材料或半導體材料,絕緣層包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅,可撓式薄膜基板包含聚亞酰胺材料或聚對苯二甲酸乙二酯材料,具有介于5~25μm的厚度。并且電子組件包含多個有機發光二極管陣列或一觸控感測組件。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,對導電層通電以加熱導電層,并將包含離型層的可撓式顯示面板從載板分離,其中離型層對絕緣層的附著力小于離型層對可撓式薄膜基板的附著力。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,更可在形成離型層之前,對導電層與絕緣層的至少其中一個的表面進行粗糙化工藝,其中,粗糙化工藝系指在導電層與絕緣層的至少其中一個的表面形成多個突起結構。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,突起結構接觸離型層的下表面或可撓式薄膜基板的下表面。
在前述可撓式顯示面板的制造方法中,突起結構形成于導電層并與導電層為相同材料且接觸可撓式薄膜基板的下表面,其中,所述突起結構可降低離型層對可撓式薄膜基板的附著力,且所述突起結構對可撓式薄膜基板的附著力亦小于離型層對可撓式薄膜基板的附著力。藉此較容易將可撓式薄膜基板從載板分離且有助提高可撓式薄膜基板的良率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





