[發明專利]可撓式顯示面板的制造方法有效
| 申請號: | 201611197714.1 | 申請日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108231675B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 程惟嵩;李懿庭 | 申請(專利權)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 210038 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可撓式 顯示 面板 制造 方法 | ||
1.一種可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,包含有:
提供一載板;
在所述載板上形成一導電層;
在所述導電層上形成一絕緣層;
在所述絕緣層上形成一離型層;
在所述離型層上形成一可撓式薄膜基板;
在所述可撓式薄膜基板上制作電子組件;
在所述可撓式薄膜基板設置一保護結構,并與所述可撓式薄膜基板、所述電子組件組成一可撓式顯示面板;以及
對所述導電層通電以加熱所述導電層,并將所述可撓式顯示面板從所述載板分離;
其中,在形成所述離型層之前,對所述導電層與所述絕緣層的至少其中一個的表面進行粗糙化工藝,其中,所述粗糙化工藝系指在所述導電層與所述絕緣層的至少其中一個的表面形成多個突起結構。
2.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,對所述導電層通電以加熱所述導電層,并將所述可撓式顯示面板連同所述離型層一并從所述載板分離,其中所述離型層對所述絕緣層的附著力小于所述離型層對所述可撓式薄膜基板的附著力。
3.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,當所述導電層加熱至不小于攝氏60度時,將所述可撓式顯示面板從所述載板分離。
4.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述導電層為一整面的導電層或一圖案化的導電層。
5.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述保護結構為一保護膜層或一保護基板。
6.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述導電層包含金屬材料或半導體材料,所述絕緣層包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅,所述可撓式薄膜基板包含聚亞酰胺材料或聚對苯二甲酸乙二酯材料,具有介于5~25μm的厚度,并且所述電子組件包含一有機發光二極管陣列或一觸控感測組件。
7.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述突起結構形成于所述導電層并與所述導電層為相同材料且接觸所述可撓式薄膜基板下表面。
8.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述突起結構形成于所述導電層并與所述導電層為相同材料且接觸所述離型層下表面。
9.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述突起結構形成于所述絕緣層并與所述絕緣層選自相同材料且接觸所述可撓式薄膜基板下表面,其中,所述突起結構降低所述離型層對所述可撓式薄膜基板的附著力。
10.如權利要求1所述的可撓式顯示面板的制造方法,其特征在于,所述導電層與所述絕緣層都形成有所述突起結構并接觸所述可撓式薄膜基板,且所述導電層的所述突起結構的分布與所述絕緣層的所述突起結構的分布位置不相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





