[發明專利]發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201611196644.8
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106784185B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 盧怡安;吳俊毅;王篤祥
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種發光二極管的制作方法，包括步驟：提供一外延結構，依次包含生長襯底、第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；在第二類型半導體層的表面上定義焊盤電極區和擴展電極區，并在擴展電極區上依次形成金屬掩膜層和擴展電極，金屬掩膜層的面積完全覆蓋擴展電極區并向外延伸，金屬掩膜層的面積＞擴展電極的面積；提供一臨時基板，將其與外延結構接合，并去除生長襯底，裸露出第一類型半導體層的表面；提供一導電基板，將其與外延結構接合，移除所述臨時基板，裸露出部分第二類型半導體層的表面、部分金屬掩膜層和擴展電極；采用化學蝕刻裸露出來的第二類型半導體層的表面，形成粗化表面；去除裸露出的金屬掩膜層。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，具體的說是一種發光二極管及其制作方法。

背景技術

發光二極管具有低能耗，高壽命，穩定性好，體積小，響應速度快以及發光波長穩定等良好光電特性，被廣泛應用于照明、家電、顯示屏及指示燈等領域。

現有發光二極管之增光工藝，常見地于器件出光表面制作粗化面以增進出光效率。在粗化蝕刻區域通常會避開焊盤電極與擴展電極等區域，以避免粗化面影響電極與擴展條的平坦面。一般常用工藝會使用光刻膠作為掩膜，將光刻膠覆蓋在欲遮蓋的地方，通常位在電極與擴展條的位置，并大于等于電極與擴展條的區域面積，接著再進行粗化工藝。但在采用基板轉移技術制作高亮度發光二極管中，由于經過鍵合工藝的晶圓片會有不同的曲翹模式，鍵合前后的黃光對位常有錯位的問題，使得擴展電極未受到良好的覆蓋，導致粗化液蝕刻到電極擴展的下方，形成金屬接觸脆弱或脫落的風險。

發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種降低粗化側蝕之發光二級管與制作方法。

本發明的技術方案為：發光二極管的制作方法，包括步驟：（1）提供一外延結構，依次包含生長襯底、第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；（2）在所述第二類型半導體層的表面上定義焊盤電極區和擴展電極區，并在所述擴展電極區上依次形成金屬掩膜層和擴展電極，所述金屬掩膜層的面積完全覆蓋所述擴展電極區并向外延伸，所述金屬掩膜層的面積＞擴展電極的面積；（3）提供一臨時基板，將其與所述外延結構接合，并去除所述生長襯底，裸露出第一類型半導體層的表面；（4）提供一導電基板，將其與所述外延結構接合，移除所述臨時基板，裸露出部分第二類型半導體層的表面、部分金屬掩膜層和擴展電極；（5）采用化學蝕刻裸露出來的第二類型半導體層的表面，形成粗化表面；（6）去除裸露出的金屬掩膜層。

優選地，所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的厚度為10~200nm，更佳的為50~100nm。

優選地，所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的邊緣超出所述擴展電極的邊緣至少2微米，較佳的為2~10微米。

優選地，所述步驟（2）中同時在所述焊盤電極區和擴展電極區形成金屬掩膜層。

優選地，所述發光二極管的制作方法還包括步驟（7）：在所述第二類型半導體層的焊盤電極區形成焊盤電極。

優選地，所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層與所述第二類型半導體層形成歐姆接觸。

優選地，所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的材料選用Au、Cr、Ni、Ti或Pd，較佳選用Au。

優選地，所述步驟（2）中同時在所述焊盤電極區形成金屬掩膜層和電極材料層，所述金屬掩膜層與所述焊盤電極區重合，所述電極材料層的材料與所述擴展電極的材料一樣。