[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611196644.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106784185B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧怡安;吳俊毅;王篤祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 及其 制作方法 | ||
1.發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：
（1）提供一外延結(jié)構(gòu)，依次包含生長(zhǎng)襯底、第一類型半導(dǎo)體層、有源層和第二類型半導(dǎo)體層；
（2）在所述第二類型半導(dǎo)體層的表面上定義焊盤電極區(qū)和擴(kuò)展電極區(qū)，并在所述擴(kuò)展電極區(qū)上依次形成金屬掩膜層和擴(kuò)展電極，所述金屬掩膜層的面積完全覆蓋所述擴(kuò)展電極區(qū)并向外延伸，所述金屬掩膜層的面積＞擴(kuò)展電極的面積；
（3）提供一臨時(shí)基板，將其與所述外延結(jié)構(gòu)接合，并去除所述生長(zhǎng)襯底，裸露出第一類型半導(dǎo)體層的表面；
（4）提供一導(dǎo)電基板，將其與所述外延結(jié)構(gòu)接合，移除所述臨時(shí)基板，裸露出部分第二類型半導(dǎo)體層的表面、部分金屬掩膜層和擴(kuò)展電極；
（5）采用化學(xué)蝕刻裸露出來的第二類型半導(dǎo)體層的表面，形成粗化表面；
（6）去除裸露出的金屬掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中同時(shí)在所述焊盤電極區(qū)形成金屬掩膜層和電極材料層，所述金屬掩膜層與所述焊盤電極區(qū)重合，所述電極材料層的材料與所述擴(kuò)展電極的材料一樣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的厚度為10~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中，形成的金屬掩膜層的邊緣超出所述擴(kuò)展電極的邊緣至少2微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：還包括步驟（7）：在所述第二類型半導(dǎo)體層的焊盤電極區(qū)形成焊盤電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的材料選用Au、Cr、Ni、Ti或Pd。
7.發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：
（1）提供一外延結(jié)構(gòu)，依次包含生長(zhǎng)襯底、第一類型半導(dǎo)體層、有源層和第二類型半導(dǎo)體層；
（2）在所述第二類型半導(dǎo)體層的表面上定義焊盤電極區(qū)和擴(kuò)展電極區(qū)，并在所述擴(kuò)展電極區(qū)上依次形成擴(kuò)展電極和金屬掩膜層，所述金屬掩膜層的面積完全覆蓋所述擴(kuò)展電極區(qū)并向外延伸，所述金屬掩膜層的面積＞擴(kuò)展電極的面積；
（3）提供一臨時(shí)基板，將其與所述外延結(jié)構(gòu)接合，并去除所述生長(zhǎng)襯底，裸露出第一類型半導(dǎo)體層的表面；
（4）提供一導(dǎo)電基板，將其與所述外延結(jié)構(gòu)接合，移除所述臨時(shí)基板，裸露出部分第二類型半導(dǎo)體層的表面和金屬掩膜層；
（5）采用化學(xué)蝕刻裸露出來的第二類型半導(dǎo)體層的表面，形成粗化表面；
（6）去除金屬掩膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中先在擴(kuò)展電極區(qū)形成擴(kuò)展電極，然后在焊盤電極區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層表面上和所述擴(kuò)展電極上形成金屬掩膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中僅在擴(kuò)展電極區(qū)形成金屬掩膜層，所述焊盤電極區(qū)不形成金屬掩膜層，所述步驟（5）中先在所述焊盤電極區(qū)形成一光阻層掩膜層，再進(jìn)行蝕刻，所述步驟（6）中還包括去除光阻掩膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中形成的金屬掩膜層的厚度為10~200nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中，形成的金屬掩膜層的邊緣超出所述擴(kuò)展電極的邊緣至少2微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求7 所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：還包括步驟（7）：在所述第二類型半導(dǎo)體層的焊盤電極區(qū)形成焊盤電極。
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