[發明專利]一種SOI下襯底接觸引出的方法

有效

• 申請號: 201611196503.6
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106783729B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 肖韓;董業民;陸梅君;田意
• 申請（專利權）人: 上海新微科技服務有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

本發明提供一種SOI下襯底接觸引出的方法，包括：步驟1），定義襯底的接觸引出區域，采用引出孔的刻蝕工藝，從SOI的上表面打開SOI下襯底的接觸引出區域；步驟2），對接觸引出區域進行金屬填充，并通過金屬互聯工藝實現SOI下襯底的電學引出；其中，SOI下襯底引出區域與SOI上的元器件的接觸引出使用同一光刻制版，SOI下襯底接觸引出區域的刻蝕工藝及金屬填充工藝分別與元器件接觸孔的刻蝕工藝及金屬填充工藝采用同一工藝步驟。本發明的方法一方面與現有的常規工藝兼容，另一方面不需要額外的掩膜版，從而無需增加額外成本，實現了SOI下襯底的電學引出。本發明工藝步驟簡單，且有利于成本的降低，在半導體制造領域具有廣泛的應用前景。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種SOI下襯底接觸引出的方法。

背景技術

SOI晶圓襯底區與表面的器件區通過埋氧層天然電學隔離。不過很多應用中需要將襯底區電學引出，來控制電位或者消除芯片制備出現的天線效應(antenna effect)。

現有技術的常規做法是采用附加刻蝕工藝，在襯底區刻蝕專用引線孔，之后在填充金屬材料，實現電學引出?，F有的一種SOI晶圓襯底區的電學引出包括如下步驟：

第一步，在SOI晶圓上制作元器件，所述元器件具有一個或兩個以上需要進行電學引出的區域；

第二步，在所述SOI晶圓表面形成介質層；

第三步，采用元器件的接觸引出光刻制版，刻蝕出元器件的接觸引出區域；

第四步，采用SOI晶圓下襯底的接觸引出光刻制版，刻蝕出SOI晶圓下襯底的接觸引出區域；

第五步，對所述元器件的接觸引出區域進行金屬填充；

第六步，對所述SOI晶圓下襯底的接觸引出區域進行金屬填充；

第七步，采用金屬互聯工藝實現SOI晶圓下襯底的接觸引出以及所述元器件的接觸引出的電學引出。

可見，傳統的SOI晶圓襯底區的電學引出方法需要在常規工藝的基礎上，采用額外的工藝，同時為了定義需要引線的區域而需要額外的制備掩膜版，其不足之處在于，引入額外工藝后帶來的兼容性問題，以及額外的工藝和額外的掩膜版帶來的成本增加的問題。

基于以上所述，提供一種與現有的常規工藝兼容，不需要額外的掩膜版，無需增加額外成本，可以實現SOI下襯底的電學引出的方法實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種SOI下襯底接觸引出的方法SOI下襯底接觸引出的方法，用于解決現有技術中SOI下襯底引入額外工藝后帶來的兼容性問題，以及額外的工藝和額外的掩膜版帶來的成本增加的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種SOI下襯底接觸引出的方法，所述方法包括步驟：步驟1)，定義襯底的接觸引出區域，采用引出孔的刻蝕工藝，從SOI的上表面打開SOI下襯底的接觸引出區域；步驟2)，對接觸引出區域進行金屬填充，并通過金屬互聯工藝實現SOI下襯底的電學引出；其中，SOI下襯底引出區域與SOI上的元器件的接觸引出使用同一光刻制版，SOI下襯底接觸引出區域的刻蝕工藝及金屬填充工藝分別與元器件接觸孔的刻蝕工藝及金屬填充工藝采用同一工藝步驟。

作為本發明的SOI下襯底接觸引出的方法的一種優選方案，所述SOI下襯底接觸引出區域的刻蝕工藝與元器件接觸孔的刻蝕工藝為采用同一工藝且同時進行，所述SOI下襯底接觸引出區域的金屬填充工藝與元器件接觸孔的金屬填充工藝為采用同一工藝且同時進行。