[發明專利]一種SOI下襯底接觸引出的方法

有效

• 申請號: 201611196503.6
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106783729B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 肖韓;董業民;陸梅君;田意
• 申請（專利權）人: 上海新微科技服務有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

步驟1)，定義襯底的接觸引出區域，采用引出孔的刻蝕工藝，從SOI的上表面打開SOI下襯底的接觸引出區域；

步驟2)，對接觸引出區域進行金屬填充，并通過金屬互聯工藝實現SOI下襯底的電學引出；

其中，SOI下襯底引出區域與SOI上的元器件的接觸引出使用同一光刻制版，SOI下襯底接觸引出區域的刻蝕工藝及金屬填充工藝分別與元器件接觸孔的刻蝕工藝及金屬填充工藝采用同一工藝步驟，通過控制刻蝕工藝的刻蝕選擇比，使刻蝕工藝分別停止于元器件的接觸引出表面以及SOI下襯底表面。

2.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：所述SOI下襯底接觸引出區域的刻蝕工藝與元器件接觸孔的刻蝕工藝為采用同一工藝且同時進行，所述SOI下襯底接觸引出區域的金屬填充工藝與元器件接觸孔的金屬填充工藝為采用同一工藝且同時進行。

3.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：所述元器件的接觸引出包括MOS管的源區接觸引出、漏區接觸引出、襯底區接觸引出以及柵極接觸引出，二極管的陽區接觸引出及陰區接觸引出，三極管的集電區接觸引出、發射區接觸引出及基區接觸引出，有源區及柵電阻接觸引出，MOS電容的上下極板接觸引出，光學器件的接觸引出，MEMS器件的接觸引出的一種或兩種以上組合。

4.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：步驟1)包括：

步驟1-1)，于SOI上制作出元器件，所述元器件包括元器件的接觸引出；

步驟1-2)，于所述SOI上表面覆蓋介質層；

步驟1-3)，使用同一光刻制版，對SOI下襯底引出區域采用與SOI上的元器件的接觸引出同時進行刻蝕，通過控制刻蝕工藝的刻蝕選擇比，使刻蝕工藝分別停止于元器件的接觸引出表面以及SOI下襯底表面。

5.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：步驟2)包括：

步驟2-1)，采用金屬填充工藝同時對所述SOI下襯底接觸引出區域及所述元器件接觸孔進行金屬填充；

步驟2-2)，通過金屬互聯工藝實現SOI下襯底接觸引出區域及所述元器件接觸孔的電學引出。

6.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：步驟1)中，所述刻蝕工藝包括ICP刻蝕工藝及RIE刻蝕工藝中的一種。

7.根據權利要求1所述的SOI下襯底接觸引出的方法，其特征在于：步驟2)中，金屬填充所采用的金屬材料包括銅、鋁、銀、金、鉑金、鈦、鎢中的一種或兩種以上的組合或者其合金。