[發明專利]一種漏電測試結構在審
| 申請號： | 201611194782.2 | 申請日： | 2016-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN106653733A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 陳海波;吳建偉;徐海銘;洪根深 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 總裝工程兵科研一所專利服務中心32002 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 漏電 測試 結構 | ||
1.一種漏電測試結構，其特征包括：兩個梳狀結構，兩個梳狀結構相互交叉，互不接觸；一個用于隔離梳狀結構的蛇形結構；位于所述的兩條梳狀結構之上的上層金屬條，所述金屬條與梳狀結構和蛇形結構之間是SiO2絕緣介質層，所述金屬條通過接觸孔或者通孔與所述梳狀結構形成導電連接。
2.根據權利要求1所述的漏電測試結構，其特征在于所述的兩個梳狀結構中每個梳狀結構由橫豎兩種梳齒構成，梳齒數量可以根據需求設計，兩個梳狀結構的橫豎位置是相對關系。
3.根據權利要求1所述的漏電測試結構，其特征在于所述的兩個梳狀結構中每個梳狀結構條寬度a、條間距b以及兩個梳狀結構間距c根據工藝節點設計需求可以進行調節。
4.根據權利要求1所述的漏電測試結構，其特征在于所述的用于隔離梳狀結構的蛇形結構，結構是SiO2絕緣介質層。
5.根據權利要求1所述的漏電測試結構，其特征在于所述的兩個梳狀結構，結構可以是多晶硅或者金屬。
6.根據權利要求1-4所述的漏電測試結構，其特征在于位于所述蛇形結構上方的設置多晶柵蛇形結構；設置圍繞所述兩個梳狀結構的阱環形結構；位于兩個梳狀結構和多晶柵蛇形結構之上的上層設置金屬條，所述金屬條通過接觸孔與所述梳狀結構、多晶柵蛇形結構和阱環形結構形成導電連接。
7.根據權利要求6所述的漏電測試結構，其特征在于所述的環形結構為p型或n型。
8.根據權利要求6所述的漏電測試結構，其特征在于所述的環形結構與兩個梳狀結構的間距根據工藝節點設計需求進行調節。
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