[發(fā)明專利]具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611193654.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107529273A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文聰;謝開(kāi)杰;翁亦興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中華精測(cè)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K1/11 | 分類號(hào): | H05K1/11;H05K1/18;H05K3/42 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 電容 結(jié)構(gòu) 電路板 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,包括:
一基底;
一沉積層,被設(shè)置于所述基底上,具有至少一過(guò)孔于所述沉積層中;
至少一薄膜電容,每一所述至少一薄膜電容設(shè)置于每一所述至少一過(guò)孔中,每一所述至少一薄膜電容設(shè)有一本體部、第二端部以及第一端部,其中所述第二端部與所述第一端部位于所述本體部的相對(duì)兩端面;
至少一第二電極,每一所述至少一第二電極電性連接每一所述至少一薄膜電容的所述第二端部;以及
至少一第一電極,每一所述至少一第一電極電性連接每一所述至少一薄膜電容的所述第一端部;
其中一信號(hào)依序經(jīng)由所述第一電極與所述至少一薄膜電容的所述本體部到達(dá)所述第二電極,以使所述第一電極、所述本體部以及所述第二電極的共線路徑傳輸所述信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述電路板由有芯載板制程所制造。
3.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述電路板由增層制程所制造。
4.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述第二電極系為電源電極并且所述第一電極系為接地電極。
5.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述第一端部的表面完全電性接觸于每一所述至少一第一電極的表面,所述第二端部的表面完全電性接觸于每一所述至少一第二電極的表面。
6.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述第一電極、所述本體部以及所述第二電極的沿著所述共線路徑形成對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述至少一過(guò)孔的形成方式選自機(jī)鉆、雷射、電漿以及微影制程所組成的族群。
8.如權(quán)利要求1所述的具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板,其特征在于,所述至少一薄膜電容的形成方式選自濺鍍法、蒸鍍法或原子層沉積法、印刷以及點(diǎn)膠方式所組成的族群。
9.一種具有過(guò)孔電容結(jié)構(gòu)的電路板制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
在所述電路板中的一基板上設(shè)置至少一第一電極;
在所述第一電極上覆蓋一沉積層;
在所述沉積層中制作出至少一過(guò)孔;
設(shè)置至少一薄膜電容于至少一過(guò)孔中,每一所述至少一薄膜電容被設(shè)置于每一所述至少一過(guò)孔中,每一所述至少一薄膜電容設(shè)有一本體部、第二端部以及第一端部,其中所述第二端部與所述第一端部位于所述本體部的相對(duì)兩端面,每一所述至少一第一電極電性連接每一所述至少一薄膜電容的所述第一端部;以及
將至少一第二電極鍍層于于所述至少一薄膜電容上,每一所述至少一第二電極電性連接每一所述至少一薄膜電容的所述第二端部。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述電路板由有芯載板制程所制造。
11.如權(quán)利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述電路板由增層制程所制造。
12.如權(quán)利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述至少一過(guò)孔的形成方式選自機(jī)鉆、雷射、電漿以及微影制程所組成的族群。
13.如權(quán)利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述至少一薄膜電容的形成方式選自濺鍍法、蒸鍍法或原子層沉積法、印刷以及點(diǎn)膠方式所組成的族群。
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