[發明專利]具有堆疊半導體管芯的半導體器件結構有效
| 申請號： | 201611193565.1 | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN106960835B | 公開（公告）日： | 2019-12-27 |
| 發明（設計）人： | 高敏峰;楊敦年;劉人誠;黃薰瑩 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知識產權代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 堆疊 半導體 管芯 半導體器件 結構 | ||
1.一種半導體器件結構，包括：
第一半導體管芯，具有第一層間介電層和形成在所述第一層間介電層中的第一導電線；
第二半導體管芯，具有第二層間介電層、形成在所述第二層間介電層中的第二導電線和位于所述第二導電線和所述第二層間介電層之間的第一阻擋層；
鈍化層，位于所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯之間，其中，所述鈍化層直接接合至所述第二層間介電層；
通穴，穿透所述鈍化層；
導電部件，位于所述通穴中，其中，所述導電部件直接接合至所述第二導電線；
第二阻擋層，位于所述導電部件和所述鈍化層之間，其中，所述第二阻擋層覆蓋所述導電部件的側壁和所述導電部件的相對于所述第二半導體管芯更靠近所述第一半導體管芯的表面；以及
襯底穿孔，所述襯底穿孔穿透所述第一半導體管芯的半導體襯底，其中，所述導電部件電連接至所述襯底穿孔。
2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述鈍化層的表面、所述導電部件的表面、所述第二阻擋層的表面、所述第二層間介電層的表面、所述第二導電線的表面和所述第一阻擋層的表面是共面的。
3.根據權利要求1所述的半導體器件結構，還包括位于所述第二半導體管芯的半導體襯底中的光傳感區。
4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述第二阻擋層與所述第二導電線直接接觸。
5.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述導電部件直接接合至所述襯底穿孔。
6.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述導電部件比所述襯底穿孔更寬。
7.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述鈍化層直接接合至所述第一阻擋層。
8.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述通穴沿著從所述第二導電線朝向所述第一半導體管芯延伸的方向逐漸變窄。
9.一種半導體器件結構，包括：
第一半導體管芯；
第二半導體管芯，接合在所述第一半導體管芯上；
襯底穿孔，穿透所述第二半導體管芯的半導體襯底；
鈍化層，位于所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯之間，其中，所述鈍化層直接接合至所述第二半導體管芯的所述半導體襯底；
通穴，穿透所述鈍化層；
導電部件，位于所述通穴中，其中，所述導電部件接合至所述襯底穿孔；以及
阻擋層，位于所述導電部件和所述鈍化層之間，其中，所述阻擋層覆蓋所述導電部件的側壁并且覆蓋所述導電部件的與所述第二半導體管芯相比更接近所述第一半導體管芯的表面，所述阻擋層將所述導電部件的表面與所述第一半導體管芯的鄰近表面分離。
10.根據權利要求9所述的半導體器件結構，其中，所述鈍化層的表面、所述導電部件的表面和所述第二半導體管芯的所述半導體襯底的表面是共面的。
11.根據權利要求9所述的半導體器件結構，其中，所述導電部件比所述襯底穿孔寬。
12.根據權利要求9所述的半導體器件結構，其中，所述阻擋層位于所述導電部件和所述第一半導體管芯之間。
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