[發明專利]負載型NiOOH電極材料及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 201611193407.6
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106637286B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 田洋;張瓊
• 申請（專利權）人: 首都師范大學
• 主分類號: C25B11/03
• 分類號: C25B11/03;C25B11/06;C25B1/04;C23C18/12
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 張皓;黃威

1.一種在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

1)泡沫鎳的預處理：在室溫下，將泡沫鎳在3.0M HCl溶液中超聲15min，然后依次用去離子水、無水乙醇清洗2至3次，備用；

2)鎳(Ⅱ)溶液的制備：將NiCl₂·6H₂O固體溶解于去離子水中，至Ni²⁺濃度為5mmol/L至50mmol/L；

3)丁二酮肟醇溶液的制備：稱取丁二酮肟固體溶解于無水乙醇中，至丁二酮肟濃度為5mmol/L至100mmol/L；

4)將步驟2)和3)中制備的鎳溶液和丁二酮肟醇溶液加入反應釜的聚四氟乙烯內襯中，攪拌10min后，將預處理過的泡沫鎳豎直浸入其中，預處理泡沫鎳完全浸入溶液中，擰緊釜蓋，將反應釜放入到200℃的電熱鼓風干燥箱中，并保持4至10h；

5)取出反應釜自然冷卻到室溫狀態，傾倒掉上清液，用去離子水清洗掉表面沉淀物，得到長滿豎直排列Ni₂Cl(OH)₃納米片的泡沫鎳；

6)將得到的泡沫鎳用去離子水清洗掉表面沉淀物后，放入120至150℃的電熱鼓風干燥箱中，并保持8至12h，得到在泡沫鎳上豎直排列的α-NiOOH納米片。

2.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟2)中所述Ni²⁺濃度為10mmol/L至40mmol/L。

3.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟2)中所述Ni²⁺濃度為25mmol/L。

4.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟3)中所述丁二酮肟醇濃度為20mmol/L至80mmol/L。

5.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟3)中所述丁二酮肟醇濃度為50mmol/L。

6.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述保持時間為4至8h。

7.根據權利要求6所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述保持時間為6h。

8.根據權利要求1所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述鎳(Ⅱ)與丁二酮肟的摩爾比為1:0.5至1:8。

9.根據權利要求8所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述鎳(Ⅱ)與丁二酮肟的摩爾比為1:1至1:4。

10.根據權利要求9所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述鎳(Ⅱ)與丁二酮肟的摩爾比為1:1.5至1:3。

11.根據權利要求10所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，在步驟4)中所述鎳(Ⅱ)與丁二酮肟的摩爾比為1:2。

12.根據權利要求1至11任意一項所述的在泡沫鎳上負載豎直排列的α-NiOOH納米片結構的電極材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法不使用有機溶劑或催化劑。